二极管导通压降（二极管导通压降怎么理解）

发布时间：2023-08-30

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肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右，正常导通压降是0.5V左右，在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。

硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成，硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。

压降：二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势（电位）变化称为电压降，简称压降。导通压降：二极管开始导通时对应的电压。

二极管导通压降（二极管导通压降怎么理解）

理想二极管正向导通时其降压为：硅材料二极管的压降0.7 V；锗材料二极管为0.3 V。

.6V左右；微安级，试验测量结果在20- 300微安之间。硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。

1、二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。

2、二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。

3、正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压，也就是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。

4、二极管导通电压是二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变。正向特性在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。

5、死区电压与导通压降的区别请看图。只有当正向压降超过死区电压时二极管才有电流。

1、硅二极管的正向导通电压降为0.5-0.7伏；锗二极管的正向导通电压降为0.1-0.3伏。导通电压降受通过电流大小的影响。

2、普通硅二极管的正向压降典型值一般认为是0.7V。

3、硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。

4、硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

5、正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成，硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。

1、硅二极管正向管压降0.7V，锗管正向管压降为0.3V，反向饱和电流一般在10e-14A～10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺：硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质，工艺不同，压降也不同。

2、正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压，也就是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。

3、正向压降是指在规定的正向电流下，二极管的正向电压降，是二极管能够导通的正向最低电压。导通后二极管两端的电压基本上保持不变，称为二极管的正向压降。二极管电压降是电流从阳极流向阴极的结果。

4、正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成，硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右，锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右，但是做不到零伏（理想状态）。

二极管导通电压：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7v，锗管为0.3v）。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。

二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。

正向导通压降是在管子正向导通的时候，二极管两端的电压，也就是它引起的压降；死区电压是它的门坎电压，也就是说，在这个电压以下时，即使是正向的，它也不导通。