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肖特基二极管的初始导通压降是0.4V左右,正常导通压降是0.5V左右,在接近极限电流情况下导通压降是0.8V左右。
硅二极管正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺:硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质,工艺不同,压降也不同。
正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成,硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右,锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右,但是做不到零伏(理想状态)。
压降:二极管的电流流过负载以后相对于同一参考点的电势(电位)变化称为电压降,简称压降。导通压降:二极管开始导通时对应的电压。
理想二极管正向导通时其降压为:硅材料二极管的压降0.7 V;锗材料二极管为0.3 V。
正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成,硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右,锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右,但是做不到零伏(理想状态)。
.6V左右;微安级,试验测量结果在20- 300微安之间。硅二极管正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。
1、二极管导通电压:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
2、二极管的压降主要是指导通压降,二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。
3、正向导通压降是在管子正向导通的时候,二极管两端的电压,也就是它引起的压降;死区电压是它的门坎电压,也就是说,在这个电压以下时,即使是正向的,它也不导通。
4、二极管导通电压是二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变。正向特性在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。
5、死区电压与导通压降的区别请看图。只有当正向压降超过死区电压时二极管才有电流。
1、硅二极管的正向导通电压降为0.5-0.7伏;锗二极管的正向导通电压降为0.1-0.3伏。导通电压降受通过电流大小的影响。
2、普通硅二极管的正向压降典型值一般认为是0.7V。
3、硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右,锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右,但是做不到零伏(理想状态)。
4、硅二极管正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺:硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质,工艺不同,压降也不同。
5、正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成,硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右,锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右,但是做不到零伏(理想状态)。
1、硅二极管正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,反向饱和电流一般在10e-14A~10e-10A。发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。二极管材质/工艺:硅管压降z 锗管dao压降。而同等材质,工艺不同,压降也不同。
2、正向导通压降是在管子正向导通的时候,二极管两端的电压,也就是它引起的压降;死区电压是它的门坎电压,也就是说,在这个电压以下时,即使是正向的,它也不导通。
3、正向压降是指在规定的正向电流下,二极管的正向电压降,是二极管能够导通的正向最低电压。导通后二极管两端的电压基本上保持不变,称为二极管的正向压降。二极管电压降是电流从阳极流向阴极的结果。
4、正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。二极管一般由硅和锗两种材料组成,硅材料二极管的正向导通压降一般为0.5V~2V左右,锗材料二极管的正向导通压降一般为0.2V~0.4V左右,但是做不到零伏(理想状态)。
二极管导通电压:二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7v,锗管为0.3v)。正常情况下二极管的正向导通压降不可能是0V。
二极管的压降主要是指导通压降,二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。
正向导通压降是在管子正向导通的时候,二极管两端的电压,也就是它引起的压降;死区电压是它的门坎电压,也就是说,在这个电压以下时,即使是正向的,它也不导通。
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