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很可能是散热不好温度过高或者是输出过载亦或是输出短路导致的。通常逆变器的输入电压为12V、24V、36V、48V也有其他输入电压的型号，而输出电压一般多为220V，当然也有其他型号的可以输出不同需要的电压。
目前市场一些廉价的逆变焊机所用材料质量参差不齐，另外制造工艺也有问题，特别是对于用于3相380v的焊机，采用单管mos的可靠性较差，如果管脚之间的防尘，防潮措施不好，很容易导致mos管坏。
输入正负极搞错了，场管的内置二级管瞬间烧坏，没有软驱动电路，启动瞬间由于次级反馈电路电压尚未建立，PWM工作于失控状态，如果场管没有专用的保护电路，场管将于PWM失控状态下工作，瞬间烧毁。
输出电路由变压器和电容构成，变压器能使输出电压变化，电容能滤波，从而使输出电压更加稳定。
并不是阻抗大容易受到干扰，外界干扰会让G极感应出电势，阻抗越大，电压会升越高，所以G极就容易被击穿。如果有一个低阻抗通道，电势就通过低阻通道流过，而不用升高电压乃至击穿器件甚至空气形成回路。
你好：——★MOS管属于电压控制器件，它的输入阻抗非常高，很容易感应静电而击穿。所以应该采取措施加以保护。——★请看附图。...图中100K电阻和9V稳压二极管作保护，可以把感应静电限制、消除。
G端接正电压 GD以及GS都是不能否导通的。
图画的有问题。MOS管的D、S极应该是与变压器的主绕组串联在一起，而不是并联关系。220V交流整流后的直流正端先经变压器的主绕组的一端，从另一端出来后到MOS管的D极，然后从S极到220V交流整流后的电源负端。
如果电阻很小，就是mos的ds击穿了，换一个mos管试一试，如果是np结电压在0.7v左右，那可能是选了个pmos带反向保护的。
MOS管分p沟道MOS管和n沟道MOS管，它们引脚通常按g，d，s排列。对于初学或者应用不熟练的人来说，可以把它暂且理解成电压型的“三极管”，g极对应b极，d极对应c极，s极对应e极。在MOS管的DS极间，有个寄生二极管。
雪崩是一种自然现象，它是指大量积雪从高处突然崩塌下落。雪崩在有人居住或滑雪场等地是一种严重的灾害，常会造成房倒屋塌和人员伤亡。
雪崩效应是指一点微小的变化会使得密文发生一个很大的变化。
所以一个电子从放电极到收尘极，由于碰撞电离，电子数将雪崩似地增加，这种现象称为电子雪崩。
当山坡积雪内部的内聚力抗拒不了它所受到的重力拉引时，便向下滑动，引起大量雪体崩塌，人们把这种自然现象称做雪崩。
有的。MOS的gate很怕电荷堆积，静电堆积多了容易发生击穿。不知道你的Rg接哪里，如果是单独串联进G极，这个电阻与MOS管的开关速度和开关波形有关系，一般大小是几十欧。还有一个Rg是连接G极与S极，S极接地。
Ig是电子管的栅流，正常工作时信号的正半周幅度小于或等于Eg，Ig=0（即Ugk小于或等于0时不会产生栅流），只有当信号的正半周幅度大于Eg时（此时Ugk大于0）才产生栅流，因此Ig的方向是向左的。
是由于反馈电路设计不当或者过分放大引起的。MOS管是一种场效应管，其内部结构与普通的晶体管不同，内部具有栅极、漏极和源极三个电极。
当UAK开始增加时，电压会使晶体管内部的掺杂物（也称为掺杂层）的电流增加。当电流开始增加时，电流会热能，使晶体管内部的温度上升。当温度上升时，晶体管内部的电子开始活动起来，并开始通过晶体管，导通晶体管。
绝缘栅场效应管的导电机理是，利用UGS 控制感应电荷的多少来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。若UGS=0时，源、漏之间不存在导电沟道的为增强型MOS管，UGS=0 时，漏、源之间存在导电沟道的为耗尽型MOS管。
串锰酸锂电池保护板屡烧MOS管，是因为电池的串联电压太高。锰酸锂电池是指正极使用锰酸锂材料的电池，其标称电压达到7V，以成本低，安全性好被广泛使用。
通电的MOS场效管通电的介资纯度不够，导制电阻变大，温度升高，我们知道，超导现现象是在低温下实现的，所以在低温下，导电介质是低阻抗的，一旦通电由于通电介质纯度不高，电阻很高，P=U*I*R，就会烧坏管子。
，也可能元件松动，造成控制失常而出现短路性问题，整流电路有短路，大电容坏及充电器输出功率小 ，因此就烧完了MOS及限流电阻，如限流电阻冒烟造成埸效应管击穿了 。4，还有一种可能负载正负极接反同样烧充电器.。
充电的时候，电极接反了，可能烧毁MOS管。主要是接反后充电器电压和电池电压叠加而且相当于(P+，P-)输出短路，很快烧毁。保护芯片IC只检测到电池状态，达不到保护启动条件，所以充电器充电接反会烧电池保护板电路。
电池不平衡，有一节电池或者多节电池达到保护板的过充保护电压。保护板的充电方向的mos坏了。保护IC坏了。IC命令mos之间的器件坏了。
导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。
三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。
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