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Vceo是集电极与发射极之间的饱和电压降，三极管b代表基极，e代表发射极，c代表集电极，这一般都是最基本的参数；Vces是基极发射极短路，集电极发射极的反向击穿电压，三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和压降。
三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。
Vces是饱和压降，当三极管导通时，就看这个参数。Vceo是管子的最高耐压值，正常电路不可能也不应该用到这个电压的。
Vce——集电极-发射极之间的电压，sat——饱和。Vcesat—— 集电极-发射极之间的饱和导通电压，即饱和压降。不过图中画的是BE间的电压。
sat）。在三极管的参数表给出的数据也是在一定条件下的数值（图中是S8050的Vce(sat)的数据）：在图中还可以看出，当负载电阻很大（ic很小时）Vce(sat)的数值就很小，甚至小于0.1V。
1、三极管一般处于放大区工作，计算的时候一般从发射结压降入手，硅管0.7V，锗管0.2V，去算出vce。
2、Vecs是Ic的函数，不同的集电极电流下各不相同。应该从三极管的输出特性曲线上去查找，就是最靠纵坐标的那条竖直斜线。在大电流应用时，2V、3V都有可能。
3、而为什么硅管区饱和压降VCES为0.3V，是由元件本身特性决定的，可以看三极管的输出特性曲线，在左边的饱和区，Uces的很小的一个范围，一般按0.3V估算。可是书上说VBE=VCE=0.7V是也是饱和，这怎么解释。
4、你这图集电极画的是反偏的。三极管饱和导通时，发射极和集电极点位相同都为0v（npn型），而基极比发射极和集电极高0.6-0.7v；所以发射极和集电极都处于正向偏置。
Vceo是基极开路，集电极-发射极的反向击穿电压。Vces是基极-发射极短路，集电极-发射极的反向击穿电压。
Vceo表示基极开路时的集电极-发射极之间的耐压。Vces表示集电极-发射极之间的饱和电压（需要给定测量条件）。
Vces是饱和压降，当三极管导通时，就看这个参数。Vceo是管子的最高耐压值，正常电路不可能也不应该用到这个电压的。
V，最大功耗312W，电压， Vceo是1200V，工作温度范围在-55°C to +150°C。凡是电流方向不随时间变化的电流称为直流电流。电流值可以全为正值，也可以全为负值。在直流电流中又可分为两种：稳恒直流和脉动直流。
1、这样三极管导通时，电阻为很小，与集电极10K欧姆电阻分压，几乎等于0了，这样在集电极上就是低电平呀。
2、三极管导通后，由于载流子的作用，失去了PN结典型导电特征。只取决于材料和工艺。CE之间在饱和导通的情况静态内阻是相当小的，大概是0.X-X欧的数量级。
3、“饱和”和“放大”作用是针对模拟电路的，在电脑数字电路中没有。二极管：二极管具有单向导电性，即正向导通，反向截止。
1、vcc是电路的直流供电电压，vce是三极管的集电极与发射极之间的电压，vces是三极管工作于饱和状态时，集-射极之间的电压。
2、Vces是饱和压降，当三极管导通时，就看这个参数。Vceo是管子的最高耐压值，正常电路不可能也不应该用到这个电压的。
3、符号相反）Vces是指集电极到发射极的最大反向击穿电压（Ib=0），也就是说，三极管的作为开关时，在电路中能承受的最大电压。从物理上说（NPN），他是两个PN结受电场作用发生击穿的强度。
4、问题四：三极管参数Vces是什么意思？ 三极管在饱和区工作时集电极与发射极之间的饱和(saturate，Vces中的s就是此缩写)压降. 问题五：48103是什么三极管 5分 穿透电流是指晶体管基极开路时，集电极到发射极间的反向截止电流。
5、Vecs是Ic的函数，不同的集电极电流下各不相同。应该从三极管的输出特性曲线上去查找，就是最靠纵坐标的那条竖直斜线。在大电流应用时，2V、3V都有可能。
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