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单片机可控硅（单片机可控硅调光电路图）

发布时间：2023-08-30
阅读量：23

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如图所示,请问单片机怎么控制seat_heat引脚来达到控制左侧可控硅加热...

本电路有2种触发方式，一种利用RC充放电实现的控制，这种控制是使可控硅工作在3象限。另外一种是利用MOC3021实现控制，使可控硅工作在3象限。

用单片机做PWM控制电加热器的加热功率请问控制思路可以这么考虑：加热功率的大小由输出脉冲的占空比决定，占空比大，则加热功率就大。

单片机控制单向可控硅必须用光耦隔离。你是仿真还是实物，实物必须用光耦，仿真就无所谓。下图是仿真图，可控硅控制的电源用直流代替了，只是原理图。实物接法类似，以此为参考。

一般情况都是继电器控制，如果要精确控制的话，就用可控硅，通过单片机输出PWM波控制电热丝的发热温度，使用数字化的温度传感器（比如DS18B20）测量温度。

可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。

想要调压：增加一个过零检测电路。每次触发以后，过一段时间必须把触发信号关闭。也可以在过零中断时，将触发信号关闭。调压的大小值受过零后多长时间投入。注意10MS以内必须完成一次控制。否则控制将不正常。

可控硅的控制端电压一般是多少V的?我想用单片机控制能行的通吗?_百度...

如果需要快速通断，那么可控硅也是不能直接使用的。交流电和脉动直流除外。在直流电路中，可控硅一旦开启就无法关闭。除非外部电压消失。当然，现在已经有可控制关断的可控硅。但是对价格不清楚。24V3A电路的总功率是72W。

朋友，比如可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，可控硅共有三个PN结，分析原理时，可以把可控硅看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。 当可控硅阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。

很简单！但使用220V，控制输出在10-14V，不合理，因为相差太大，控制不稳定，输出波形太尖；而且一旦失控，220V的电压直接加在发热管上，后果很严重。最好是把220V变压到20-30V左右，再用可控硅控制。

可控硅可控制的电压可以做到很高，比如一千多伏。在日常生活中，用在调光，调速等。可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。

关于用单片机控制可控硅的问题

1、可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。

2、MOC3081是带过零触发的可控硅驱动光耦，这个带过零触发的意思一定要搞明白。MOC3081只能控制可控硅打开，不能控制关断。可控硅触发导通后，是靠过零关断的。通常市电交流电是50Hz的正弦波。

3、单片机控制可控硅导通角度关键在交流电过零检测电路。一般思路单片机检测到交流电零点时产生中断，经一段时间延时后触发可控硅。50HZ市电而言，延时时间必须在10毫秒以内。将这一个延时时间分成N份即N级调节输出功率。

4、单片机控制单向可控硅必须用光耦隔离。你是仿真还是实物，实物必须用光耦，仿真就无所谓。下图是仿真图，可控硅控制的电源用直流代替了，只是原理图。实物接法类似，以此为参考。

5、单片机实现时，首先得到交流零点信号，然后采用延时的方式（定时器中断输出或PWM输出）控制可控硅的输出。根据传感器的反馈值来修改导通角度。实现恒定的输出要求。算法多采用PID。在网上找一下，相关的介绍就知道如何处理了。

如何利用单片机实现可控硅移相控制

1、用新的带AD转换的如国产的STC的加强型1T单片机做这个比较合适，用模拟口的模拟量来控制移相的角度。做闭环的话还可以加个反馈PID运算使精度更高，编程要有一定的基础和经验，最好使用双脉冲。

2、\x0d\x0a可控硅触发一般使用MOC3021，相关手册上有典型电路，CPU端接一个GPIO就可以。

3、如果是的话，你要用单片机先去采集交流的同步信号，可以用中断来做，然后根据过零点进行相应的累加延时，进行触发可控硅，这样进行控制。

4、同时单片机采集主电路的电压和电流反馈值，根据PI调节将反馈值换算为移相角θ，并由计数器实现θ计数时间的对应，使单片机通过对计数时间的控制来达到控制移相角。控制了移相角的大小就控制了主电路的电压高低。

5、看你的功率大小。小功率可直接IO口驱动。大功率可用光耦驱动，光耦可选择过零触发或随机触发，具体参考MOC3041，MOC3061等电路和相关应用说明。

6、用继电器可以免去隔离了，而且控制也容易，单片机控制一个三极管，再由三极管去驱动继电器，如果继电器很多的话，用三极管有点麻烦，就用ULN2803，一片可以控制8个继电器。

单片机控制可控硅

1、单片机触发可控硅半波和全波控制如下。单片机控制可控硅的触发。原理结构图单片机控制可控硅触发电路中。选用MCS96系列单片机中的8098型号。通过单片机程序控制可控硅的触发角，达到触发与电源同步的目的。

2、单片机可以控制单向可控硅，对于小功率单向可控硅，控制极电流只要几毫安，电压3到5伏（1伏左右就可开通，注意不要误 触发），单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅，触发电流几十毫安，要加功率放大才行。

3、可控硅调速电路输入的是直流电，通过一个滤波电容稳定电压。

4、用单片机可以控制可控硅在DC电路中的导通与关闭。具体电路我可提供。问题是你要求的开关频率太高了，所以你还是用场效应，或达林顿阵列吧。回复时注明可控硅回路的电流，和导通与关闭的时间。

5、单片机控制单向可控硅必须用光耦隔离。你是仿真还是实物，实物必须用光耦，仿真就无所谓。下图是仿真图，可控硅控制的电源用直流代替了，只是原理图。实物接法类似，以此为参考。

单片机调可控硅导通角为什么不是线性

1、所以，通过调整这个导通角，可以改变负载的做功能量。实现这个功能，必须知道什么时候是0度。所以，必须有一个交流零点检测电路。一个交流周期会有两个零点信号。采用双向可控硅，则可以实现双向电流控制。

2、当可控硅导通角较小时，由于此时输入电压和电流均较小，导致维持电流不够或者芯片供电Vcc不够，电路停止工作，使LED产生闪烁。

3、可控硅调速是用改变可控硅导通角的方法来改变电动机端电压的波形，从而改变电动机端电压的有效值，达到调速的目的。

4、可控硅的导通角一般是指可控硅在交流电路中作为开关或调压元件时，交流电路每周期导通的角度。例如：50Hz交流电中的一个周期为360°，交流电分为正半周和负半周，每个半周各为180°。

5、电压变化感觉比较慢，是不是因为整流后的大滤波电容储存电和充电的原因。

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