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2302mos管（2302mos管代换）

发布时间：2023-08-30
阅读量：78

本文目录一览：

vc1012F和SI2302是通用的吗

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

SI2301是P沟道，SI2302是N沟道。不能代替的！ME2302可以代替SI2302。

vc2010这个密钥是可以重复使用的。包括很多微软的软件的密钥都是可以重复激活的。比如windows操作系统的密钥零售版都可以在一台电脑上重复使用的。

vc通用的，但是技能点和徽章在mc里不通用，换了新的存档徽章和技能点就没有了。_C用途：_C的最大用途是在MC模式中升级主角的属性，例如三分、后撤步、投篮、切入等。_C还可用于MT模式。

当把寄存器看做寄存器操作数时，4个16位通用寄存器分别是AX、BX、CX、DX有因为每个又分别包括低8位和高8位，所以也可以当作8个8位寄存器来使用。（如AX包括AH高8位、AL低8位）而sp、bp、si、di只用来存放偏移地址。

①、关于以上的这MOS管Sl2302是不能替代AO3400A管子的，原因是，向那SI2302属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：20V//电流：1A，而那AO3400A也属于N沟道MOS场效应管，参数是//耐压：30V//电流：7A//。

MOS管SI2302能替代AO3400A吗?

所以，cj2302可以用cj3400代替，但cj3400不能用cj2302代替。

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

相对于三极管，用小功率mos管，比如SI230SI2302，在实际使用中不是很理想，主要是微功率MOS管，容易烧坏，抗冲击能力太弱 尤其是mos管导通之后的内阻太低，容易被瞬间大电流冲击烧坏。

is281-4完全可以替代后者，都是4路光耦，也可以相互替代，两者没什么大区别。2502主要参数：20v，2a，3w。3404主要参数：30v，8a，4w。

碳化硅MOSFET哪家价格低？

价格应该可控硅最贵，IGBT次之，MOSFET最便宜。

国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生：英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等。

又有一款用着800V电气架构的车智己LS6，最快预计成都车展将要上市。这台车，似乎要给出一个特别惊喜的价格，结合智己LS7来看（最低售价298万元，定位中大型SUV），智己LS6的起售价格可能会压的更低。

扬杰科技 扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。

2300mos管开启电压

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

开启电压是指MOS由阻断到开始导通的最低门极电压，一般是3~5伏，导通电阻随门极电压的升高而减小。此管门极电压必须小于20V。

SI2302的mos管的最大开关频率是多少呢?

ASEMI低压MOS管SI2302的参数为：最大电压为30V，最大电流为4A，Rds（on）为0.14Ω，漏极极容为7nF，能耗为8W，最大功耗为5W。

看功率等级，大功率一般用IGBT，小功率用MOSFET，器件首先决定了开关频率的上限。拿中大功率 IGBT来说，比较常见的硬开关电路，开关频率上限是 20 kHz，MOSFET根据功率等级不同，可以做到 100 kHz 以上。

SI2301，P沟道MOS管，耐压20V，电流8A，峰值电流10A。耐压太低，用在某些低输入电压的DC/DC变换器上还可以，一般开关电源都用高耐压N沟道MOS管，它就不合适了。

IRF3205导通内阻小很多（约8毫欧），可以降低损耗，但耐压比540低（3205 60V；540 100V)如果耐压满足的话就选3205。 频率最大可到100K，一般选50K较合适。

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