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mos栅极与源极之间的泄放电阻一般是5K到10K,那么并联的mos栅极轿陵颤与源极的泄放电阻是每个闭败都用5k-10k还是加起来5k-10k。汪圆
MOS管的输入电阻很高是因为其输入端的门极是一个金属氧化物层(MOS)薄膜,相对于BJT(双极型晶体管)的PN结,MOS管的氧化层薄,所以输入电阻很高。具体来说,MOS管的输入电阻由金属氧化物层(MOS)的电容和漏电阻值组成。
MOS管的门极是一个金属氧化物层(MOS)薄膜,其输入电容很小,因此可以忽略。漏电阻值则取决于MOS管的工作状态和工作电压。裤知在导通状态下,MOS管的漏陵纯空电阻值很小,可以近似看作短路;而在截止状态下,MOS管的漏电阻值很大,可以近似看作开路。因此,当MOS管工作在截止状态下时,其输入电阻很高。
相对于BJT,MOS管的输入电阻很高具有以下优点:
MOS管的输入电阻很高,使得其输入信号源驱动能力强,可以连接更多的负载。
MOS管的输入电阻很高,可以减少输入信号源的电流消耗,降低功耗。
MOS管的输入电阻很高,可以减少外部元器件的干扰,提高电路的尺瞎抗干扰能力。
MOS管源极电阻跟你的最大功率有关的。
用功率和效率算出初级电流的峰值,然后以峰值电流乘以这个电阻得到电压(一般用一个小的RC来消电压尖峰),这个电压有一些芯片是1V,也就是说你的峰值电流乘以这个电阻为1(视芯片而定)。
MOS管为核心的电子负载就是相当于一个PWM控制的电子开关,通过改变占空比,来改变输出电流的时间长短(也就是单位时间中,MOS管导通的比例),以此改变平均电流大小,然后根据电阻发热公式改变热量大小
我觉得有几个蚂伍作用罩物埋:防止静电;停物蚂机后放电;驱动回路增加阻尼抑制振荡。你这个取得也太小了吧,驱动损耗很大的
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