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1、雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。
2、因此，从工作状态来说，雪崩光电二极管实际上是工作于接近（但没有达到）雪崩击穿状态的、高度均匀的半导体光电二极管。
3、PIN： 光敏面接收对应波长的光照时，产生光生电流；雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。
4、指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅或锗为材料制成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。
5、光电二极管的工作原理如下：当用光照射PN结时，共价键被电离。这会产生空穴和电子对。由于电子-空穴对的产生而产生光电流。当能量超过1eV的光子撞击二极管时，就会形成电子空穴对。
6、Apd管即雪崩光电二极管，APD管能对器件内部的光生载流子电流进行放大，即所谓内部倍增作用。
还有就是半导体作材料时的厚度，接触面积都会影响传播的时间影响响应速度：材料越薄，接触面积越大，响应越快。
一般来说，当光电二极管的负载电阻较大，也就是电流较小时，其响应时间会较长，因为电荷载体的移动速度较慢，需要更长的时间来达到稳定。
其频率响应主要决定于pn结势垒电容（电容越大，响应速度就越慢）；这与半导体的掺杂浓度有关，也与pn结面积有关。掺杂浓度越高，势垒厚度越薄，则势垒电容就越大；pn结面积越大，势垒电容就越大。
因而，雪崩倍增过程要受到“增益-带宽积”的限制。在高雪崩增益情况下，这种限制可能成为影响雪崩光电二极管响应速度的主要因素之一。
半导体雪崩光电二极管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。
雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。
雪崩光电二极管（APD）：除了和PIN相同部分外，多了一个雪崩增益区，光生电流会被放大，放大的倍数称为雪崩增益系数。当然同时也会产生噪声电流。
雪崩光电二极管是利用二极管的雪崩击穿效应制成的，光电倍增二极管是放大光电信号的。二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。
1、简单来说，光电二极管不能放大信号，光电倍增管能放大信号，因此一般用作微弱光的检测。首先原理是不同的。
2、虽然您的描述并不清楚，比如要测得光强范围，但显然是直流工作方式且光强大，用光电二极管应该比较合适，光电倍增管是探测微弱光领域，放大倍数可高达108！精度可以达到测量到单光子的程度，通常脉冲方式工作。
3、光电二极管和光电倍增管。光电二极管是一种将光能转换为电能的器件，用于检测光栅所产生的光信号。光电倍增管是一种能够将微弱光信号转换为强电信号的器件，用于光谱仪、荧光分析等领域。
你可以找一下silicon sensor的光电二极管。我们用的是AD230-LCC6，波长635nm，雪崩二极管。
波长370纳米以下，透射深度大于20纳米。硅在可见光探测领域是最理想的材料之一，也是紫外光电传感的常用材料。硅材料对紫外光的响应度较低，这是由于紫外光在硅材料中的透射深度极浅(波长370纳米以下，透射深度大于20纳米)。
然而，如果光强足够大，雪崩光电二极管、感光耦合元件或者光电倍增管就能发挥作用，例如天文学、光谱学、夜视设备、激光测距仪等应用产品。
比如2CU2型管的响应波长范围为0.4～ lt/m。光电二极管对入射光信号的反应速度，用响应时间来表示。响应时间(r)有开通时间、上升时间和衰减时间。
1、雪崩二极管（avalanchediode）是一种电子器件，它通过雪崩效应运作。雪崩效应是指在二极管中，电压增加到一定程度时，会导致小的整流电流增加，进而导致电压继续增加，最终导致大量的整流电流流过。
2、雪崩二极管（avalanchediode）是一种特殊的二极管，它在高压下工作，并且能够通过破坏电压（breakdownvoltage）产生大量的热量和光。
3、半导体雪崩光电二极管 (semiconductor avalanche photodiode )是具有内部光电流增益的半导体光电子器件，又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。
4、雪崩二极管是一种负阻器件，特点是输出功率大，但噪声也很大。主要噪声来自于雪崩噪声，是由于雪崩倍增过程中产生电子和空穴和无规则性所引起的，其性质和散弹噪声类似。
5、雪崩光电二极管是一种p-n结型的光检测二极管，其中利用了载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。
6、雪崩二极管（TVS管）为半导体保护器件。其次两种器件的能量耐量不同，气体放电管通流能量较大（500A-100KA）8/20uS，雪崩二极管（TVS管）通流量较小。在防护电路中气体放电管作为前级的粗保护，TVS管作为次级的精细保护。
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