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1、是的。要使三极管处于放大状态的时候，发射极一定要正偏，而且Ube一定要大于发射结的导通电压。如虽然发射极是正偏，但Ube小于发射结的导通电压时，三极管还是处于截止状态。三极管处于放大状态的时候，集电极一定是反偏。
2、对于 NPN 型的三极管，通常可认为发射极接地，基极的电压，应设为 0.7V。此时，发射结就是正偏，电流 Ib 由基极流向发射极。这个基极电流，主要是由发射区(N型，自由电子极多)向基区发出的电子构成的。
3、对与NPN型三极管，基极电压大于发射极，集电极电压大于基极，就是发射结正偏集电结反偏。如：2N3055。对PNP型三极管，基极电压小于发射极，集电极电压小于基极，就是发射结正偏集电结反偏。
1、工作频率：选取的三极管截止频率要大于电路的工作频率 三极管的静态电流：电路中三极管的静态电流要选取在β值较均匀的那一段。（这个就要参考使用的晶体管参数曲线）考虑前后级输入、输出阻抗的匹配。
2、选取R1，要考虑输入信号的最大峰峰值的大小，要尽量的放大，还要避免出现（截止和饱和）失真。反馈电阻RF，没有设计公式，一般都是采用经验数值。
3、放大电路的Q点设置主要由三极管的特性曲线来选择。尽量要工作在平直区，以尽量减小失真，Q点偏高，容易饱和失真，Q点偏低容易截止失真。
4、办法：三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。
5、三极管放大电路原理是集电极电流受基极电流的控制，电源能够提供给集电极足够大的电流，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化。三极管是电流放大器件，有三个极，分别叫做集电极C，基极B，发射极E。
“Q”；一般是用来表示品质因数。尤其在高频电路，如果电路的高频损耗小，就称“Q值高”有时；半导体晶体管也用“Q”来表示。要看电路开猜。
q表示热值，公式q=Q/m(固体)，q=Q/V(气体)，单位：J/kg(固体)，J/m^3(气体) q表示电荷 一个原电荷所带电量qe=60217733×10-19C 扩展资料： 化学方面：在化学方程式中的“+Q”、“-Q”可表示反应的吸放热行为。
四位表示该器件在该电路板上同类器件的序号。R117：主板上的电阻，序号为17。T101：主板上的变压器。
Q代表三极管。U代表集成电路。三极管作用：.放大作用，（工作时，三极管工作在放大区）用来组成放大电路 还有电子开关作用（工作时，三极管工作在饱和区和截止区）集成电路的作用就多了，型号的不同作用不同。
Q=mq表示固体完全燃烧时释放的能量。Q某种燃料完全燃烧后放出的热量，焦耳 J，m表示某种燃料的质量，千克 kg，q表示某种燃料的热值，焦耳每千克 J/kg。Q=cm△t 这个公式用于计算物质吸收或放出的热量。
IBQ为静态三极管基极B的电流；ICQ为集电极的电流；UCEQ就是集电极和发射极这间的电位差，也就是UCE。UCE是ce之间的电压，uceq是静态工作点时的电压（就是横轴ues，纵轴ic那个图上交点q对应的电压）。
q点稳定原理：Q点要稳定，与发射极电阻关系很大，发射极电阻阻值越大，直流负反馈越强，Q点越稳定，但发射极电阻过大有个坏处，就是放大电路的增益下降很快，且电阻阻值越大，相同条件下，电压增益越小。
分压式偏置电路的基极电位相对稳定，发射极电阻Re构成直流串联负反馈，以上两个因素确定了分压式偏置电路能够稳定静态Q点。
图中Re是负反馈电阻，当温度上升时，Ib和Ic都上升，所以Ie也上升，e点电位上升，Ube（发射结电压）下降，造成Ib下降，起到了稳定Q点的作用。
laobenten网友说得对，其实元增民《模拟电子技术》也已经指出，稳定Q点，就是稳定其内涵，通过外延参数来稳定内涵参数。对BJT放大器，就是通过Ib来稳定Ic和Uce。
固定偏流电路也叫做分压式Q点稳定电路，该电路的特点就是能够稳定Ibq，从而稳定Q点。具体稳压原理的分析把握以下两点：通过Rb1和Rb2分压使UBQ与三极管参数无关。
静态稳定工作点原理设流过基极偏置电阻的电流IRIB，因此可以认为基极电位VB只取决于分压电阻、VB与三极管参数无关，不受温度影响。
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