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1、综上所述，可控硅并联阻容吸收电阻的阻值一般在几千到几万欧之间，具体阻值需要根据电路的工作条件和要求来确定，同时还需要考虑电阻的功率和稳定性等因素。
2、标准接地电阻规范要求：独立的防雷保护接地电阻应小于等于10欧。独立的安全保护接地电阻应小于等于4欧。独立的交流工作接地电阻应小于等于4欧。独立的直流工作接地电阻应小于等于4欧。
3、电压等级为1000V以上的高压绕组使用2500V摇表，1000V以下的低压绕组用1000V摇表。
4、独立的防雷保护接地电阻应小于等于10欧；独立的安全保护接地电阻应小于等于4欧；独立的交流工作接地电阻应小于等于4欧；防静电接地电阻一般要求小于等于100欧。
这样变压器初级就得到交变的开关信号，经变压器交变后，二次得到交流信号，再经二极管D2整流D3保护给单向可控硅触发。交流信号的频率决定可控硅的导通角。也就是负载得到电压的多少。
防止局部过流。对于大功率可控硅通常需要几百毫安以上的驱动电流，而一般的控制单元的输出电流都是比较小，在10毫安以下，因此需要通过三极管进行功率放大。
能的，用双向可控硅或两只单向可控硅反并联，由一触发电路控制移相，改变触发角来实现变压器调压。
建议不要并联，直接用大功率的。2：可控硅带一个变压器实现调压，如果我不是理解错误，你的原理就是改变可控硅的导通角（和可控硅调节电机转速一样）。
可控硅，又称可控整流器，是一种电子元器件，其特点是能够通过外部控制信号来控制其电流或电压。它一般由三极管和四极管组成，其中三极管起到开关的作用，而四极管则是用来控制三极管的开关状态的。
当初级线圈通上交流电时，变压器铁芯产生交变磁场，次级线圈就产生感应电动势。Satons变压器的线圈的匝数比等于电压比。控制变压器是用来改变交流电压的设置，由铁芯和线圈线成。
1、如下图所示，交流电源输入经T1进行滤波后分成两路输出，一路去降压变压器T3，在T3的初级回路中串入了双向可控硅KS，用来改变变压器T3的初级交流功率。
2、可控硅(晶闸管)交流调压电路的原理方框图如图1所示（1）整流电路采用桥式整流，将220伏，50赫兹交流电压变为脉动直流电。（2）抗干扰电路为普通电源抗干扰电路。（3）可控硅控制电路采用可控硅和降压电阻组成。
3、在要求不高的场合可以使用最简单的调压电路：将两个单向晶闸管正反向并联，将两个控制极之间串联一个可调电阻，调节地调电阻的阻值输出电压随之改变。
4、可控硅调速是用改变可控硅导通角的方法来改变电动机端电压的波形，从而改变电动机端电压的有效值，达到调速的目的。
5、双向可控硅制作的交流调压电路主要是控制双向可控硅导通角实现调压的。工作原理：R、RP、C、D 组成脉冲形成网络触发双向可控硅BT， 使BT在市电正负半周均保持相应正反向导通。
可控硅调压对变压器的影响：有响声和发热。变压器是针对完整的交流波形变压的，可控硅调的是导通角，调压后得到的已不是完整的波形，虽然仍是50Hz交流，但铁损会增加，响声和发热是应该的。
电网干扰污染。可控硅斩波调速并不理想，低速时容易发生震动，且由于导通角切割正弦波形形成高次谐波导致电网干扰污染，危害极大。电网是电力系统中各种电压的变电所及输配电线路组成的整体。
感性负载可控硅调压对电网影响有：负载特性的限制，它用于电阻性负载，感性负载在一定的导通角时，有可能造成可控硅的不导通。
不能，降压隔离变压器降低电压---200VA电源变压器（220/28V的变压器，用在180V不致有大问题）---整流--整流稳压模块（若嫌电压太高，可多级稳压）。普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
可控硅斩波后，EMI会有问题。因为斩波就会产生电磁谐波，出现电磁谐波，EMI肯定会有问题了，因为被产生出来的电磁谐波干扰到了。看看EMI的定义就知道了。
1、A的可控硅最大负载功率与使用电源电压有关，可控硅只要通过电流不大于50A就可以正常使用。如果电源电压是1KW的话，那通过它的功率最大就是50KW。
2、BTB04属于双向可控硅，额定正向平均电流为4A，这样在市电220V电压下，允许控制电器的最大功率为1KW，实际应用中，最好不要超出800W。
3、不能，降压隔离变压器降低电压---200VA电源变压器（220/28V的变压器，用在180V不致有大问题）---整流--整流稳压模块（若嫌电压太高，可多级稳压）。普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
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