光耦817（光耦817c和817b区别）

发布时间：2023-08-31

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1、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

2、它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

3、HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。

4、光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

光耦在开关电源中主要作用是将输出的电压取样信号反馈回来，送到开关电源控制电路中，以控制开关三极管（或MOS管）导通时间，实现闭环稳压功能。

首先，781是一种高电流、低隔离电压的光耦合器，适用于高电压环境。相比之下，817是一种低电流、高隔离电压的光耦合器，适用于低电压环境。其次，781的光接收器是非自锁的，这意味着当输入信号消失时，输出信号不会保持。

保护开关不被烧毁。EL817光耦的电源在开关电源电路中是从高频变压器次级电压提供的，当输出电压低于稳压管电压是给信号光耦接通，加大占空比，使得输出电压升高，反之则关断光耦减小占空比，使得输出电压降低。

光耦816和817的差别：输出部分的耐压不一样：PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。

光耦817（光耦817c和817b区别）

它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。

因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数：集-射极电压额定值Vceo为35V，Ic为50mA，Pc为150mW。实际工作中，集电极供电电压可在额定值以内选用，只要注意实际的Vceo*Ic≯Pc就行。

光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。