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1、光电池的光照特性是:硅光电池在不同的照度下,产生不同的光电流和光生电动势。它们之间的关系就是光照特性。
2、表示光照度与光电流及光生电动势的关系。表示硅光电池的光照特性,主要用于短路电流、开路电压两个特征描述。
3、硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多,所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。光敏传感器的基础是光电效应,即利用光子照射在器件上,使电路中产生电流或使电导特性发生变化的效应。
4、这个现象称为光生伏特效应。硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多,所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多。
5、硅晶体电池的能隙宽带是固定的,即发电电压在0.5+-0.05V。光线弱电压高,光线强输出电压低而电流大。
1、光敏是利用一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻,入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。
2、光敏电阻顾名思义是光照越强,它的阻值就越大,如果把它串在电路中或并在电路中就可以使电流或电压发生变化,所以把光的变化以电的形式反应出来。从而可以发挥它的特性。
3、光敏电阻的基本特性包括伏-安特性、光照特性、光电灵敏度、光谱特性、频率特性和温度特性等。光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器,其工作原理是基于内光电效应。
4、光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。
5、这是因为光子与半导体材料中的电子相互作用,导致电子从价带跃迁到导带,形成导电特性。光敏电阻的应用领域。光敏电阻在许多领域都有广泛的应用。
超灵敏自动发光系统的操作要点:需要降低或加快聚焦速度。化学发光免疫分析仪是通过检测患者血清从而对人体进行免疫分析的医学检验仪器。
高灵敏度CCD芯片:采用化学发光成像系统通用的高灵敏度CCD芯片。
化学发光(Chemiluminescense)是A、B两种物质发生化学反应生成C物质,反应释放的能量被C物质的分子吸收并跃迁至激发态C*,处于激发的C*在回到基态的过程中产生光辐射。因化学反应过程中伴随光辐射现象,故称为化学发光。
光伏探测器的光电特性主要与材料、光照范围、负载大小、外加电压这些因素有关。响应速度快:指射入光信号后,马上就有电信号输出;光信号一停,电信号也停止输出,不要延迟。这样才能重现入射信号。
探测器的结构和材料,包括探测器的结构、电子和空穴的扩散时间等。这些因素影响了探测器内部载流子的移动速度,从而影响了探测器的响应时间。探测器的光源,包括光源的波长、强度等。不同的光源对探测器的响应时间有不同的影响。
有关。在光照度一定时,光电导探测器灵敏度随工作偏置电压的增大而增大;两者是有相互关联的,因此在实际应用中,可以在光电导探测器的最大额定功率内适当提高工作偏置电压,以得到较大的探测灵敏度。
- 太阳辐射:太阳辐射的强度是光伏发电的首要因素,对光伏发电有着重要的影响。太阳辐射的强度决定了光伏发电系统的产量,较高的太阳辐射意味着更多的能量输入,从而提高发电量。
响应率光伏探测器的响应率与器件的工作温度及少数载流子浓度和扩散有关,而与器件的外偏压无关,这是与光电导探测器的不相同的。
1、光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。
2、光电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样,也是由一个PN结组成的半导体器件,也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流 元件 ,而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
3、发光二极管 用磷化镓、磷砷化镓材料制成,体积小,正向驱动发光。工作电压低,工作电流小,发光均匀、寿命长、可发红、黄、绿单色光。
4、特点:无光时,与普通二极管一样具有单向导电性。使用时,光电二极管的PN结应工作在反向偏置状态。在光信号的照射下,反向电流会随着光强的增加而上升(此时的反向电流称为光电流)。光电流也与入射光的波长有关。
5、④暗电流Id,耗尽区的峰值电场超过临界值Em(InGaAS Em≈5×10V/cm)时,隧道电流将成为暗电流的主要成分。使用时必须保EmEm。
6、光电管的光电特性指的是光电管在受到光照射时,其内部电子的迁移和变化,以及由此产生的电流和电压变化的特性。它主要包括光电管的灵敏度、响应时间、电流增益、电压增益等特性。
(4)光谱回应。光谱回应又称光谱灵敏度,是指光敏电阻在不同波长的单色光照射下的灵敏度。若将不同波长下的灵敏度画成曲线,就可以得到光谱回应的曲线。(5)光照特性。光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。
光照特性指光敏电阻输出的电信号随光照度而变化的特性。从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。
光照特性曲线一般不是线性的。一般光敏电阻阻值会随着光照强度的增加而剧烈减少,但会随着光照强度的继续增加而平缓减少。
光照增强,光敏电阻的阻值增大。光敏电阻,入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大。还有另一种入射光弱,电阻减小,入射光强,电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换(将光的变化转换为电的变化)。
(4)下图表示CdS光敏电阻的光照特性,在一定外加电压下,光敏电阻的光电流和光通量之间的关系。不同类型光敏电阻光照特性不同,但光照特性曲线均呈非线性。因此它不宜作定量检测元件,这是光敏电阻的不足之处。
从光敏电阻的光照特性曲线可以看出,随着的光照强度的增加,光敏电阻的阻值开始迅速下降。若进一步增大光照强度,则电阻值变化减小,然后逐渐趋向平缓。在大多数情况下,该特性为非线性。
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