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mos管最大电压（mos管最大电流是多少）

发布时间：2023-08-31
阅读量：27

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MOS管G极电压可以加多大

V。GS极的耐压值，正向和反向都是20V，超出这个值，管子会坏需要注意。MOS场效应晶体管通常简称为场效应管，是一种应用场效应原理工作的半导体器件。

MOS管导通时栅极电压是5伏左右。20伏是极限电压。

是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

保护G极的稳压管一般是15——18V，如果确定驱动电压不会超过MOS管G极的极限电压，不用稳压管保护也是可以的。

MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。

MOS场效应管源极\栅极/漏极电压分别是多少伏?

1、电压不同 高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同 耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

2、开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

3、MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

4、是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。

MOS管关闭状态下,栅极电压最大能允许多大?是不是在接近导通电压Vgs时...

1、MOSFET开启电压5V的话，需要栅极电压高于源级电压5V才能导通，就是说如果源级电压是12V，栅极电压要12+5=17V才能导通。这个说的对。

2、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

3、指的是开启电压，最小0.6V，最大2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

mos管阀值电压为什么有最大值,超过最大值会怎么样

1、第三个影响阈值电压的因素是由栅氧化层厚度tOX决定的单位面积栅电容的大小。单位面积栅电容越大，电荷数量变化对VGS的变化越敏感，器件的阈值电压则越小。

2、MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V的耐压一般为1-2V，200v以内的一般为2-4V，200V以上的一般为3-5V。MOS管，当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个 Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。

3、绝大多数商业化生产的MOS管是增强型器件，但也有一些应用场合需要耗尽型器件。耗尽型PMOS也能被生产出来。这样的器件的阈值电压是正的。耗尽型的器件应该尽量的被明确的标识出来。

4、阈值电压受衬偏效应的影响，即衬底偏置电位，零点五微米工艺水平下一阶mos spice模型的标准阈值电压为nmos0.7v pmos负 0.8，过驱动电压为Vgs减Vth。

mos管的gs最大反向电压

1、IRF540N的导通起控电压为2-4V，GS极之间最高电压不能超过20V，质量较好的管子GS加6-8V就已经饱和导通（内阻最小），所以使用时如果有脉动或尖峰电压时，最好在GS两极之间接入一12-15V的快速稳压管。

2、大多数Si管子手册正负压限制绝对值相等比如+20和-20，而SiC通常有更小的负压限制，比如这个SIC管子，GS正压最大值25而负压-10。

3、所以，MOS管的反向压降就是二极管的正向电压，大约是1～5V。

4、如果控制G的GPIO的电压区域为8V，那么GPIO高电平的时候为8V，GS为8-8=-1V，mos管导通，不能够关断。GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-8=-7V，mos管导通。

5、Vgs： 最大GS电压.一般为：-20V~+20V 上面三个是主要直接跟你负载相关。Rds(on)相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管严重发热。Id直接决定最大电流，如果这个小于你负载也就驱动不了。

6、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。

关键词：mos管

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