光电器件的响应率和探测率（光电器件的响应率和探测率一样吗）

发布时间：2023-08-31

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1、响应率一个硅光电二极管的响应特性与突发光照波长的关系响应率（responsivity）定义为光电导模式下产生的光电流与突发光照的比例，单位为安培/瓦特（A/W）。

2、看单位就可以猜到吧每增加1W的光强对应的反向电流的增加量，应该有相应的（I-i）响应曲线的，这个是曲线的斜率。。额。。看到你提问的时间，也是醉了，现在估计你不仅知道而且可以教我了。。

3、经查询有关资料以及和专业人士交流可以知道，它指在相等光功率和规定反向偏压下，光谱响应曲线上，不小于最大幅度10%所对应的波长范围。 ICE2QR2280Z对不同波长的光，光电二极管的反应灵敏度是不同的。

4、光电二极管相关术语响应度光电二极管的响应度可以定义为给定波长下，产生的光电流(IPD)和入射光功率(P)之比：工作模式( 光导模式和光伏模式) 光电二极管可以工作在这两个模式中的一个：光导模式(反向偏置)或光伏模式(零偏置)。

5、光电二极管是在反向电压作用下工作的，没有光照时，反向电流极其微弱，叫暗电流；有光照时，反向电流迅速增大到几十微安，称为光电流。光的强度越大，反向电流也越大。

6、光电二极管的种类很多，主要应用在红外遥控电路中。为减少可见光的干扰，常采用黑色树脂封装，可滤掉700nm波长以下的光线。光电二极管对长方形的管子，往往做出标记角，指示受光面的方向。一般情况下管脚长的为正极。

光电器件的响应率和探测率（光电器件的响应率和探测率一样吗）

1、光源功率：光电探测器所接收到的光信号强度与光源功率成正比，功率越强，探测器所接收到的信号也就越强，成像大小也相应变大。

2、有关。在光照度一定时，光电导探测器灵敏度随工作偏置电压的增大而增大；两者是有相互关联的，因此在实际应用中，可以在光电导探测器的最大额定功率内适当提高工作偏置电压，以得到较大的探测灵敏度。

3、连续发射光束，或者改变脉冲宽度。接收器由光电二极管、光电晶体管和光电池组成。在接收器的前面，安装了透镜和光圈等光学元件。后面是检波电路，可以过滤掉有效信号，加以应用。此外，光电开关的结构元件包括发射板和光纤。

4、光探测器的输出信号与被测距离的关系：红外测温仪检测结果与被测目标的距离的关系，在仪器规定的检测范围内检测结果一般不会有大的差距，如果被测目标超出了仪器检测范围，则检测结果失真较大。

1、ma/W。根据查询量子点光电探测器使用说明显示，量子点光电探测器最高响应率是30ma/W。光电探测器是光电信息产业中重要的光电子元器件，常常被用于传感、探测和成像等领域。

2、对于常见的硅探测器、红外探测器，其电流响应度约为0.1~1 A/W，即在1uW光照下，输出0.1~1 uA的光电流。常见光电探测器工作电流范围在1E-9~1E-5 A（1nA~10uA）这个范围。

3、一般情况下光电探测器会有一个响应的光波长范围，比如说300nm-850nm。也就是说这个探测器只能探测这个范围的光波。您需要确定您的实验产生的荧光是不是这个范围。光电探测器的输出一般是mv的模拟信号，也许只有几mv。

4、光电子学是指光波波段，即红外线、可见光、紫外线和软X射线（频率范围3×1011Hz~3×1016Hz或波长范围1mm~10nm）波段的电子学。

光电探测器的响应度的定义为光电探测器产生的光电流与入射光功率比。

响应度：即反映光电器件的光电转换的参量，用探测器接收电路得到的电压或电流除以入射的光功率即可。

NEP=Pmin= Un/R=P/Us/UnP—入射辐射功率 Us—输出信号电压 Un—输出噪声电压均方根 R—响应率一般一个良好的探测器的NEP约为10-11W。显然，NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。