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mos管RC（mos管rc吸收电路）

发布时间：2023-08-31
阅读量：29

本文目录一览：

求详解:MOS管,三极管,功率管,开关管之间的联系与区别

1、区别 节能性：MOS管是电压控制性器件，二极管三极管是电流控制性器件，因此MOS管更节能。稳定性：MOS管只有多数载流子参与导电，二极管三极管中多数载流子和少数载流子都参与导电，因此MOS管热稳定性更好。

2、场效应管是一种特殊的晶体管，它是电压控制的器件，而普通三极管都是电流控制的器件。开关管、功率管这些是针对用途来说的，它可能是三极管也可能是场效应管，做开关用途时就叫开关管，做大功率控制的时候就叫功率管。

3、三极管和场效应管是两种不同原理的半导体器件，但最后起的作用类似。根据不同的功能这两种都可用于做行管。你的这些概念是不同的分类方式的不同叫法，比如按功率分三极管和场管都有大功率管和小功率管，大功率管简称功率管。

4、以及大电流地方开关电路 速度：MOS管开关速度不高，三极管开关速度高 工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制 阻抗：三极管输入阻抗小，MOS管输入阻抗大。频率特性：MOS管的频率特性不如三极管。

5、MOS管：管分为PMOS管和NMOS管，属于绝缘栅场效应管。三极管：是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

6、三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

MOS管是什么?

1、mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。

2、MOS管：场效应管。采用绝缘栅结构的晶体三极管，输入阻抗高，输出呈电阻态。

3、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属---氧化物---半导体场效应管，简称MOS场效应管。(1)结构原理它的结构、电极及符号见图3所示，以一块P型薄硅片作为衬底，在它上面扩散两个高杂质的N型区，作为源极S和漏极D。

4、电脑主板的MOS管是场效应晶体管器件，两个或三个一组，或多相组合，用来与主板上电压控制分配 IC配合，进行DC-DC直流电压变换，为CPU或内存，以及各板载IC芯片，或接口插槽，提供所需工作的稳定供电。

5、MOS场效应管属于电压控制元件，这一点类似于电子管的三极管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的。通常被用于放大电路或开关电路。而在主板上的电源稳压电路中，MOS主要是判断电位，它在主板上常用“Q”加数字表示。

这个mos管放大电路的输出电阻怎么求?

仿照普通三极管放大电路的做法，输出电阻等于RC。这里输出电阻等于RS。

Rds = R0 + (Vgs - Vth) / Id 其中：- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。

直接测量法：先测出空载电压，然后再测出一定负载下的电压，两者的差值比上负载电流就是输出电阻。公式法。分别测出负载开路时的输出电压，和带上负载后的电压。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极，D的作用是与散热孔铁片相连，T的作用是用来接地。

关键词：mos管 放大电路的输出电阻 电阻

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