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光电倍增管是闪烁计数器的主要探测元件之一。闪烁体输出微弱的光线,经过光导到达光电倍增管的光阴极,光电倍增管将成比例地加以放大,并转换成电信号脉冲输出,被后面的电路所记录。
光电倍增管由入射窗、光电阴极、电子光学输入系统、倍增系统、阳极等部分组成。它的工作原理是建立在光电效应、二次电子发射和电子光学的理论基础上。
光电倍增管的工作原理是具有极高灵敏度和超快时间响应的光敏电真空器件,可以工作在紫外、可见和近红外区的光谱区。日盲紫外光电倍增管对日盲紫外区以外的可见光、近紫外等光谱辐射不灵敏。
1、①在光线作用下,电子逸出物体表面,物体的伏安特性发生了变化,这是外光电效应,如光电管,光电倍增管等。
2、内光电效应的代表器件有光电二极管、光电三极管、光电晶体管等。光电二极管。光电二极管(Photodiode)是一种利用内光电效应原理制成的器件,是一种半导体二极管结构,它能够将光信号转换为电信号。
3、外光电效应中最常用的就是PMT,光电倍增管,主要用于探测弱光,如荧光分析。内光电效应中常用的器件有Photodiode,简称PD,一般叫光电二极管,还有比较常见的器件有APD。
光电探测器工作频率最高的探测器是雪崩光电二极管(APD)。雪崩光电二极管(APD)利用雪崩倍增效应使光电流得到倍增,因此灵敏度高,工作速度高,工作频率最高,并能提供内部增益,已广泛应用于光通信系统中。
半导体雪崩光电二极管 具有内部光电流增益的半导体光电子器件,又称固态光电倍增管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电流的雪崩倍增。
是一种半导体光电器件。比光电二极管灵敏得多,光照集中电结附近区域。利用雪崩倍增效应可获得具有内增益的半导体光电二极管(APD),而采用一般晶体管放大原理,可得到另一种具有电流内增益的光伏探测器,即光电三极管。
光电倍增管用在光学测量仪器和光谱分析仪器中。内光电效应探测器包括光电导探测器、光伏探测器。光电导探测器是利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。
光电传感器通俗叫法就是光电开关,有发射和接收2部分组成,可以是一体的(发射和接收整合)也可以是分体的(2个体),发射的光线受到物体遮挡后返回给接收端形成。
内光电效应的代表器件有光电二极管、光电三极管、光电晶体管等。光电二极管。光电二极管(Photodiode)是一种利用内光电效应原理制成的器件,是一种半导体二极管结构,它能够将光信号转换为电信号。
光电三极管工作原理光电三极管,也称光敏三极管,是一种用于接收光信号并转换为电信号的器件。它由三个极接口,即正极、负极和中间极组成。
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