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mos管驱动电阻太大（mos管驱动电阻大小对emi的影响）

发布时间：2023-08-31
阅读量：31

本文目录一览：

直流光耦的价格是多少？

1、、价格：6N137目前是最常用的高速光电隔离器件，人民币约合3块左右；ADuM1201是ADI于2003年推出的隔离器，人民币约合4块左右/通道。

2、电流传输比β在直流工作状态下，光敏管输出电流Ic与发光二级管注入电流If的比值，称为电流传输比β0如果传输特性线性度较好，侧电流传输比β可用β=Ic/If×100%来求得。

3、当然，也可以选择线性光耦进行设计，如精密线性光耦TIL300，高速线性光耦6N135/6N136。线性光耦一般价格比普通光耦高，但是使用方便，设计简单；随着器件价格的下降，使用线性光耦将是趋势。

4、可以用光耦817来替代，光耦817应用广泛，主要应用于电源设备上，隔离高低电压的用途。相关的终端产品应用包括家电、温控、冷气空调(HVAC)、贩卖机、照明控制装置、充电器与交换式的电源供应器。

5、可以互相代替。TLP521是可以完全替代817和2501，后两个不能完全替代521，要求不严的一些消费类电源上，还有智能电表上这几个都是一样用的。

mos管内阻大小由什么控制

1、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。

2、漏电阻值则取决于MOS管的工作状态和工作电压。在导通状态下，MOS管的漏电阻值很小，可以近似看作短路；而在截止状态下，MOS管的漏电阻值很大，可以近似看作开路。因此，当MOS管工作在截止状态下时，其输入电阻很高。

3、以N型MOS管四端器件为例：NMOS管四端分别是D、G、S、B，即漏(Drain)、栅(Gate)、源(Source)以及体(Body)端。MOS管是电压控制电流器件（区别于Bipolar的电流控制电流器件特性）。

4、MOS管由两个基极和一个漏极组成，其中基极之间形成一个控制电流的通道。当通道的控制电压较低时，通道内的电流较小；当通道的控制电压较高时，通道内的电流较大。

5、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

6、Ron=1/[β(Vgs-VT)]。mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

MOS管用于开关电路时,G极有必要串联电阻吗?

串电阻是防止振荡。如果你直接用IO驱动，驱动电流最大也就20mA，电阻太大不合适。普通使用做开关控制，建议不要超过100欧。另外，如果你的驱动频率很高，这个电阻必须减小，甚至改为0欧也是可行。

MOS管G极接电阻是防止振荡，晶体管接电阻是限流。

gs有电压差到一定程度的时候，mos管就会打开，这个电阻可以在一定程度上减小gs之间的电压，这样可增加mos管的抗干扰能力。

mos管G极阻抗很高，很容易积累静电，而击穿G一S导致管子失效。接0欧电阻可以池放静电保护管孑不因静电损坏。

这个电阻影响G极电流，即其大小影响MOS管开关速度。同时，此电阻阻值也与MOS管振铃现象有关。

MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。

电机mos管电阻怎么给

mos管漏源导通电阻的计算公式为：Ron=1/[β(Vgs-VT)]。其中，Vgs是MOS管的栅源电压，VT是MOS管的阈值电压，β是MOS管的放大倍数。

确定电路的工作电压 range。确定工作状态下 MOSFET 的最大电流。根据最大电流和工作电压确定 MOSFET 的额定功率。通过选择电阻值来将功耗限制在额定范围内。

MOS管栅极串联电阻的确定方法：当 Rg 增大时，导通时间延长，损耗发热加剧； Rg 减小时， di/dt 增高，可能产生误导通，使器件损坏.应根据管子的电流容量和电压额定值以及开关频率来选取 Rg 的数值。

为什么mos管驱动电路中栅极与驱动串一个10欧电阻

缓冲电阻，针对栅极控制信号的。根据MOS管的栅极电容和工作频率来选择，一般在7欧到100欧之间。一般MOS管资料内也会有个相应的栅极串入电阻参考值。

这个电阻是叫驱动电阻，一般来讲，值从0-数百欧姆都是可以的 一般来讲就是在MOS的温度和EMI折中 示波器里量测电阻前后对地波形，可以看到电阻前的PWM比后面的要直。

场效应管栅极与源极间的电阻起到保护场效应管不被静电击穿的作用，取值10K。栅极串联电阻决定场效应管的开通速度，取10~47欧。

MOS管栅极绝缘,反相器的输入电阻非常高,这里输入电阻是什么,

1、阻抗高是因为mos的结构特点。栅极是氧化物绝缘层，电阻＞10兆欧姆。NPN就不行了，阻抗很低。驱动任意同类门是胡说八道。

2、确切来说，是绝缘栅型场效应管输入电阻高。主要原因是场效应管是电压控制元件，理想的场效应管栅极G与源极S间基本上是无电流的，只有控制电压，但G与S间是绝缘的，因此电阻非常大，通常为10的八次方。

3、内阻除了可以指输入阻抗，也可能指输出阻抗，确切意义要看具体场合，所以内阻和输入阻抗的定义不完全是一回事。在 你举出的那句话——比如MOS管就是这样，内阻小，输入阻抗高——里，“内阻”就是指输出阻抗。

4、jfet的直流输入电阻本质上是pn结的反向电阻，pn结反向偏置时总会有一定的反向漏电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。mosfet是利用半导体表面的电场效应进行工作的，栅极处于不导电点状态（绝缘），所以输入电阻高。

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