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三相mos管驱动电路（33v驱动mos管）

发布时间：2023-08-31
阅读量：26

本文目录一览：

谁能帮我提供一个三极管驱动MOS的开关电路,谢谢。

1、一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。

2、带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

3、两种接法供参考，前一种作为开关用比较简单。后一种接法用在频率比较高的场合比较好。

4、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

5、单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

6、你的要求能不能改下，全部用Nmos？因为Pmos价格比较高，而且型号少。三极管集电极串个电阻，然后从电阻下方引出一条线到Nmos的栅极，电阻多大都可以。只要栅极电压乘以跨度满足远远大于漏极或源极电流即可。Pmos。。

这个电路图MOS管是怎么驱动的

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

使用p mos管，可以解决你这个驱动问题。或者使用驱动变压器，但是会增加成本并且体积增大。

输入控制信号是PWM1 当PWM1是高电平时，Q2导通，Q1也导通，+5V通过QDR1给MOS_1提供（大电流）高电平；当PWM1是低电平时，Q2截止，Q1也截止，Q3因基极电阻R6导通，MOS_1为低电平。

单片机任意一个I/O口通过一个三极管控制SG3525的10脚。I/O口和三极管基极间串个几K的电阻，发射极接地，集电极接SG3525的10脚同时接个10K电阻上拉至15脚。单片机发高电平时工作，低电平时关断。

本电路分别在假性负载和压电陶瓷负载下做实验，输出端输出很好的放大信号。 图8是在实验室做单频正弦输入信号上下功率MOSFET的驱动波形，图9是逆变桥的输出。图10也是输出波形(时间参数变化)，图11是M=0.1时带假性负载的负载波形。

如何选择最适合的MOS管驱动电路?

很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

选型时候，电压要大于额定电压尖峰值20V左右（不可太高），电流可以选择容量大的，同时查看下导通阻抗，越小越好。另外，建议采用IGBT，效果比MOS好，但是价格偏高些。

寻L297+MOS管步进电机驱动电路图

1、使用L297-L298的两相双极性或单极性四相步进电机与控制电路(舞台上允许的最大电流为2 A)。

2、单极性驱动电路使用四颗晶体管来驱动步进电机的两组相位，电机结构则如图1所示包含两组带有中间抽头的线圈，整个电机共有六条线与外界连接。

3、在图2所示的L297的内部方框图中。变换器是一个重要组成部分。变换器由一个三倍计算器加某些组合逻辑电路组成，产生一个基本的八格雷码(顺序如图3所示)。

什么是pwm驱动mos管开关?

PWM是脉宽调制的缩写。这是一种模拟控制方式。它根据相应负载的变化来调节晶体管基极或MOS栅极的偏置，从而改变晶体管或MOS管的准时时间，从而实现开关稳压电源输出的变化。

也就是在输出波形的半个周期中产生多个脉冲，使各脉冲的等值电压为正弦波形，所获得的输出平滑且低次谐波少。按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制，即可改变逆变电路输出电压的大小，也可改变输出频率。

脉宽调制PWM是开关型稳压电源中的术语。这是按稳压的控制方式分类的，除了PWM型，还有PFM型和PWM、PFM混合型。

你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。

因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。

关键词：三相mos管驱动电路 mos管驱动 驱动mos管 mos管

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