用mos管高端驱动（mos管驱动电路图）

发布时间：2023-08-31

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本文目录一览：

1、求助关于用ir2112S的自举电路驱动BLDC,高端mosfet一直驱动不正常
2、MOS驱动电机的问题,菜鸟求指教
3、PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别
4、什么是pwm驱动mos管开关?
5、如何选择最适合的MOS管驱动电路?
6、MOS管的导通特性

求助关于用ir2112S的自举电路驱动BLDC,高端mosfet一直驱动不正常

r22太大，一般取几十欧姆；驱动Q6的电荷是通过+12V到D8到CC5再到负载，对CC5充电得的。所以需要在Q6关断的时候对CC5进行充电，负载阻抗太大，充电时间常数太大，或者负载在Q6关断后电势仍然高于12V，无法充电。

首先，IR2112是MOSFET管高侧/低侧驱动器，而非MOSFET管。Multisim8版本中没有IR2112，由于它属于比较特殊的器件，高版本中估计也没有，所以不好办。

IR2136是一种电力电子器件，是一种双路高压、高电流的开关模块。它可以用于驱动大功率开关电源、可控硅等电力电子应用中。它通常用于驱动高压MOSFET或IGBT电源开关。

MOS驱动电机的问题,菜鸟求指教

图中，上桥臂q1和q3采用pnp型三极管，q2和q4采用npn三极管，因为q1和q3是高端驱动，采用了pnp管子就避免带来驱动电路设计的麻烦。

mos管桥驱动电机感觉没有力气是因为电动机绕组局部短路、断路，电动机机械部分不够润滑。电机驱动板主要采用两种驱动芯片，一种是全桥驱动HIP4082，一种是半桥驱动IR2104。

更换mosfet，如N管换成P管，这样复位电平就不会打开mosfet了，程序中把打开mosfet的电平改一下就行。不过这个方案需要对电路进行比较大的改动。

用VTH小于0V 的MOS，或者加图腾把VTH提高8至12V，加大MOS电流，主要看什么原因导致MOS发热。

要看看是击穿还是过流烧焦，比较难确认，还有可能是触发电路误动作（我还试过是没有考虑单片机上电时输出状态不确定的误触发）。击穿马上发生过流。

用mos管高端驱动（mos管驱动电路图）

PMOS,NMOS,CMOS,BIOS有何区别

BIOS为英文Basic Input Output System的缩略词，直译过来后中文名称就是基本输入输出系统。在IBM PC兼容系统上，是一种业界标准的固件接口。BIOS这个字眼是在1975年第一次由CP/M操作系统中出现。

作用不同 BIOS：是用于计算机开机过程中各种硬件设备的初始化和检测的芯片，容量是1M或2M甚至8M。CMOS：CMOS是主板上一块可读写的RAM芯片，用于保存当前系统的硬件配置信息和用户设定的某些参数。

本质不同 bios：BIOS是英文Basic Input Output System的缩略词，直译过来后中文名称就是基本输入输出系统。在IBM PC兼容系统上，是一种业界标准的固件接口。

什么是pwm驱动mos管开关?

1、还可以改变输出频率。 PWM是脉宽调制的缩写。这是一种模拟控制方式。它根据相应负载的变化来调节晶体管基极或MOS栅极的偏置，从而改变晶体管或MOS管的准时时间，从而实现开关稳压电源输出的变化。

2、也就是在输出波形的半个周期中产生多个脉冲，使各脉冲的等值电压为正弦波形，所获得的输出平滑且低次谐波少。按一定的规则对各脉冲的宽度进行调制，即可改变逆变电路输出电压的大小，也可改变输出频率。

3、脉宽调制PWM是开关型稳压电源中的术语。这是按稳压的控制方式分类的，除了PWM型，还有PFM型和PWM、PFM混合型。

4、你这个电路其实叫做BUCK开关电源电路，是一种降压型开关电源。下面回答你的问题：单片机的PWM波可以驱动MOS管，但取决于你的MOS管类型，你要看你的MOS管手册里的Vgs和Ron之间的关系。

5、因为一般DS耐压100V左右的NMOS，其栅极耐压也就20或30V，这个要看你的MOS的说明书。理论上，GS电压越高，NMOS导通内阻越小，但是，由于要给栅极电容充电到高压，所以整个开启速度会变慢，所以并不是电压越高越好。

6、PWM信号是PWM，英文名Pulse Width Modulation，是脉冲宽度调制缩写，是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导通时间的改变，从而实现开关稳压电源输出的改变。

如何选择最适合的MOS管驱动电路?

1、很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。

2、选择合适的MOSFET管对于驱动电路的设计至关重要。应选择具有低导通电阻、低反向恢复电荷和高开关速度的MOSFET管。此外，还应选择合适的电压和电流容量，以适应实际应用的需求。

3、选型时候，电压要大于额定电压尖峰值20V左右（不可太高），电流可以选择容量大的，同时查看下导通阻抗，越小越好。另外，建议采用IGBT，效果比MOS好，但是价格偏高些。

4、如果是低频开关电路，可以选三极管，高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区，比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。

5、降压电路驱动电路的MOS管尺寸选择，选择依据如下：首先，确定降压电路的最大输入电压，MOS管的耐压，需大于等于3倍以上输入电压，确保MOS管不会被击穿。

MOS管的导通特性

1、P型MOS管的导通条件：靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。

2、PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

3、MOS管的特性：它的栅极-源极间电阻很大，可达10GΩ以上。噪声低、热稳定性好、抗辐射能力强、耗电省。集成化时工艺简单，因此广泛用于大规模和超大规模集成电路之中。

4、pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。

5、MOS管工作原理--MOS管的特性 1MOS管的输入、输出特性对于共源极接法的电路，源极和衬底之间被二氧化硅绝缘层隔离，所以栅极电流为0。.2MOS管的导通特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

6、MOS管的开关特性：MOS管最显著的特点也是具有放大能力。不过它是通过栅极电压uGS控制其工作状态的，是一种具有放大特性的由电压uGS控制的开关元件。静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。

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