pn结光电器件光电发射器件（pn结光照）

发布时间：2023-08-31

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1、PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从P区流到N区，PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。

2、pn结是通过掺杂产生的，例如通过离子注入、掺杂剂的扩散或通过外延。（在用另一种类型的掺杂剂掺杂的晶体层上生长一层用一种类型的掺杂剂掺杂的晶体）。

3、PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

pn结光电器件光电发射器件（pn结光照）

p-n结是半导体单晶内两种半导体材料p型和n型之间的边界或界面。p（正）侧包含过量的空穴，而n（负）侧在电中性原子的外壳中包含过量的电子。这允许电流仅沿一个方向通过结。

用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。

导体的交界面附近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体材料制成的 PN 结叫同质结，由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结。制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。

PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。

光电传感器的原理是通过将光强的变化转化为电信号的变化来实现控制。一般来说，光电传感器由三部分组成，分别是发射器、接收器和检测电路。

光电传感器原理是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。光电传感器在一般情况下，有三部分构成，它们分为：发送器、接收器和检测电路。

原理是光照度改变使光敏电阻阻值的改变，而引起光敏电阻两端电压的改变。电压变化信号通过传感器传到计数器上计数计时。光电门一端有个线性光源，另一端有个光敏电阻，门中无物体阻挡时光照射到光敏电阻上。

光电传感器工作原理光电传感器是通过把光强度的变化转换成电信号的变化来实现控制的。一般情况下，它是由发送器、接收器和检测电路三部分构成。

PN结相当于平板电容器，虽然外加电场会使势垒区变宽或变窄但这个变化比较小可以忽略，则CT=εS/L，已知动态平衡下阻挡层的宽度L0，代入上式可得： \x0d\x0aCT不是恒值，而是随V而变化，利用该特性可制作变容二极管。

光敏二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，和普通二极管相比，在结构上不同的是，为了便于接受入射光照，PN结面积尽量做的大一些，电极面积尽量小些，而且PN结的结深很浅，一般小于1微米。

光生伏特效应是光照引起PN结两端产生电动势的效应，基于光生伏特效应原理工作的光电器件有光电池.问题八：光电二极管是光电导效应还是光伏效应是光伏效应。

光电管原理是光电效应，光电管接受到光照时，PN结两侧的P区和N区因本征激发产生的少数载流子浓度增多，若光电管接在闭合回路中，就会产生电流。

光电二极管是将光信号变成电信号的半导体器件。它的核心部分也是一个PN结，结深很浅，一般小于1微米。pn结中的阻挡层是指的P型半导体和N型半导体结合时，多子自然扩散形成的反向电场区，和空间电荷没有关系。

光电三极管电流受外部光照控制，是一种半导体光电器件。光电三极管是一种相当于在三极管的基极和集电极之间接入一只光电二极管的三极管，光电二极管的电流相当于二极管的基极电流。