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如果你要精确的24v，3脚接+28-30v，同时在4脚到地的10k电阻上并联一个24v的稳压管。
可以，负载的输入阻抗要非常大，大到可以忽略串上一个7K电阻的分压。换句话说，让7K电阻上的分压小于0.5V（约240K左右）则输出电压＞25基本上还是24V。
毫安。光耦最低工作电压驱动电流在2到20毫安。光耦的输入端实际上就是一个发光二极管，当给此二极管加上正向3伏到24伏的直流电压后，输出端的导通电阻就会从无穷大变到只有几十欧姆。
这个是NPN的输出回路，看图，如果驱动器信号输出，那么晶体管的门置高电压，正极和公共端打通，继电器回路形成通路，继电器工作。
严格意义上讲是不可以并联使用的，但工程上3路并接使用也没什么问题。关键是驱动能力是否够用。
驱动光耦的器件有最小工作电流值，驱动光耦，有一定的漏电流，所以要并联1k电阻吸收这些漏电流防止光耦导通。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
当然可以啊！首先PLC的输入点是光耦，也就是所谓的光电隔离的，PLC是肯定不会坏的。说光电会坏的也是扯淡，都没形成回路，怎么会损坏另一个？三线制的说白了就是1个三极管，没什么大不了的。
反向并联一个二极管或者稳压管都是起到反向保护作用。防止反向电压过高击穿光耦的发光管。反向电压钳位在二极管的压降电压，大约0.7V左右，主要就不会反向击穿了。
1、光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
2、输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有： 正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。
3、采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
4、需要考虑的参数太多了，根据重要性主要有如下几个。首先是延迟时间，这个参数影响传输度。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
正向工作电压可在输入特性曲线查出，通常在4V左右。
PC817的集电极供电电压在实际电路中通常是按5V来设计的，因为这符合参数手册给定的条件。PC817的基本参数：集-射极电压额定值Vceo为35V，Ic为50mA，Pc为150mW。
输入端（二极管两端）的电压和你通过的电流有直接关系，根据参数表上描述，IF=20mA时，VF标称值=2V，最大值是4V。
输入电压5V，图A中电阻R=100Ω左右即可。图B中接一只发光二极管是可以的，不过发光二极管需要串联一只电阻降压，因为一般的发光二极管工作电压在7V左右，5V电压会损坏发光二极管的。
1、光耦二极管端的方向耐压为：正向耐压为二极管的导通电压0.7V，反向耐压根据型号的不同，在几十伏到几千伏不等。光电二极管简介：和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。
2、光耦导通压降约在1~5V左右。R3的作用是为了抗干扰。首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。
3、一般就是3V，5V的就行了。正常情况用不会烧毁的，要是电压电流大了可能会爆。
4、可以的，68v到265v的电压能导通光耦。光耦一次侧串联一个10K电阻，在68V电压时电流约8mA，光耦是工作的。在265V电压时是约25mA，一般光耦一次侧电流最大可达50mA左右。
5、光耦的发光管导通电压和普通发光管一样都在5V以上。一般的光耦内部电路都简单，输入是发光管，隔离输出部分是三极管。光耦主要使用在需要将输入输出、端口电气隔离的电路。
6、光耦P521的3，4脚最小压差，依据参数，是0.2v才能导通电压。典型值是0.2V；最大值是0.4V。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
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