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双mos管推挽驱动电路（mosfet推挽电路）

发布时间：2023-09-01
阅读量：30

本文目录一览：

请问什么是推挽电路?

1、推挽电路是一种电路，它可以将低电压转换为高电压，或将高电压转换为低电压。它的原理是，当一个晶体管的基极和收集极之间的电压发生变化时，晶体管的发射极和基极之间的电压也会发生变化。

2、推挽电路（Push-PullCircuit）是一种电力电子学中的技术，它通过在一个电路中使用两个反相的晶体管或三极管来实现对电动势的控制。推挽电路可用于交流变换器、功率放大器和数字逻辑电路等。

3、推挽电路是两不同极性晶体管输出电路无输出变压器（有OTL、OCL等）。

4、推挽电路的工作原理推挽电路（Push-PullCircuit）是一种常见的双极性放大电路，通过对输入信号的放大输出到目标负载。

5、靠近截止点的放大电路，叫做甲乙类放大电路，适合于大功率高保真音频放大，推挽电路通常就是甲乙类放大电路。丙类放大：晶体管静态工作点设置在截止区内的放大电路，叫做丙类放大电路，适合于大功率射频放大。

双mos管连接问题。图中管子应该怎样连接,做功率放大用。

1、本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。

2、：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。

3、你的“背靠背连接”是指什么意思？如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是 复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。

4、这个方法也适用于三极管的判别（NPN、PNP）。在上图中我们可以看到右边都有一个寄生二极管，起到保护的作用。那么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电路连接中，D和S应该如何连接。

5、你确定是nmos么，如果是，用万用表测量D到S的电阻或者np结电压，如果电阻很小，就是mos的ds击穿了，换一个mos管试一试，如果是np结电压在0.7v左右，那可能是选了个pmos带反向保护的。

6、该电路由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成，图1所示是其组成框图。

反激电源中串联两个MOS管的方式提高耐压,下管正常PWM驱动,上管的栅极通...

常见pwm驱动mos管开关电路：只是单个MOS管的普通驱动方式像这种增强型NMOS管直接加一个电阻限流即可。由于MOS管内部有寄生电容有时候为了加速电容放电，会在限流电阻反向并联一个二极管。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

由于输入电压并不是简单的固定值，在很多时候在宽电压的应用会随着时间或者其他因素将会产生变动。这个变动将会导致PWM电路提供给MOS的驱动电压将会出现不稳定，而容易烧坏MOS管。

较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。

：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。

所以就用mos管代替二极管。但是mos管有一个问题，就是内部集成了一个续流二极管，你分析一下电路就知道了，如果只用一个pmos的话，5v的电压会经过mos管直接流进锂电池中。

想具体的了解一下这个电路中,两个mos管的工作状态,最好有原理性的计算...

mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。

截止状态：当输入的负偏置信号（例如地）加到mos管的基极上时，使管子导通而工作于截止区。在这种情况下输出端没有电流通过。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

这个电流也就是mos管的漏极输出电流。而且这个电流是个恒流。例如输出需要100mA电流，运放pin的输入电压是2V，那么电阻取20欧姆就可以实现了。在图中JUMP位置的跳线可以接任何负载，或短路，电流恒定在100mA。

关键词：mos管 双mos管

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