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作业里应该会有要求做这个分析的）。好吧其实MOS管用Hspice仿真多好，直接输入宽长比有木有。
pspice画完电路图以后，选Capture里PSpice选项卡，第一个new simulation profile，弹出仿真设置对话框，就可以对仿真进行设置了。 PSPICE是由SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)发展而来的用于微机系列的通用电路分析程序。
驱动芯片：负责产生PWM信号并控制MOSFET管的开关状态。常用的驱动芯片有IR21LM5113等。MOSFET管：是实现开关电路的核心元件，通过PWM信号控制其开关状态，从而调节输出电压。
如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双极器件。 基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。
当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用PMOS管经典开关电路，这也是出于对电压驱动的考虑。第二步：确定额定电流 第二步是选择MOSFET的额定电流。
选中二极管，点击右键，有一个EDIT PSPICE MODEL，进去就可以设置参数了。电路仿真的精度主要由元器件所选用的模型和模型参数来决定。PSPICE中选用了较精确的模型，其模型参数也很多，在多数情况下，可以忽略其中的许多参数。
右键单击元件，选择Edit pspice model，弹出model editor编辑框，在里面修改即可。
你的这个模型只要修改最后一个窗口中的倒数第四行BV的值就可以了，把它修改为你需要的稳压值，但是变化最好不要太大，你修改为7V是可以的。
加载special.olb 元件库，里面有一个PARAM元件。调出，设置参数变量即可。具体方法可在网上找一找PARAM的用法，有很多。或者随便下载一本PSpice的教程，找到关于PARAM的用法的，参考一下应该就可解决。
操作方法如下：首先打开软件，我们在软件界面的左上方点击“File”选项，在出现的下拉框中选择“New”，并在旁边的子下拉框中选择“Project”。
在sch文件中选中该管子，然后在Edit菜单下选择Edit Pspice Model，可以打开模型编辑器，进行编辑后保存即可。
反激拓扑的占空比调整有以下几个步骤： 先确定电源的电压，以及转换器的输出电压和最大电流负载。有了这些基本参数后，就可以计算出开关管的最大电流值，也就是电路最大功率。 选择开关管，并计算出开关管的通断频率。
激就是激励，指的是变换器主开关管的激励信号。通常我们认为激励存在时主开关管导通，电流流过开关管；失去激励时主开关管不导通，没有电流流过开关管。再说什么是“正”和“反”。这里说的“正”和“反”指的是相位。
最简单的解释是，正激变换器是buck电路的隔离版本，而反激式变换器是buck-boost电路的隔离版本，因此正激只能降压，反激可升压可降压。
晶振一般可分为：普通晶振、温补晶振（温度补偿晶体振荡器）、恒温晶振（恒温控制晶体振荡器）、压控晶振（电压控制晶体振荡器）等几大类型！晶振由于其化学性能稳定、振荡频率的稳定，谐振频率准确，所以应用范围非常广泛。
晶振类型很多，根据不同性能可以分为有源晶振和无源晶振、有源晶振分温补晶振、压控晶体振荡器、压控温补晶体振荡器。无源晶振分两种材质石英晶振和陶瓷晶振。
晶振的主要组成部分包括石英晶体、电容器、电阻器、电路板等，不同的晶振型号具有不同的频率、精度、温度特性等特点，使用时需要根据实际需求进行选择。
康柏电子 根据晶振的不同使用要求及特点，晶振的分类方式有很多：按制作材料——可分为石英晶振和陶瓷晶振。按外形——可分为长方形晶振，圆形晶振，椭圆形晶振。
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