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1、P2是直热式束射四极管,一般最佳负载阻抗是内阻的1/8~1/10, 用5~4K。四极管种类很多,常见的有:束射四极管,直热四极管和多子四极管等。
2、P2是一个小功率直热式低频功率放大管,功率比较小,最大阳极耗散功率为0.4W,玩的人不多,旧管子应该不少,网购应该能买得到,如果要代用,得看你原来是用来做什么的,电路是怎么样的才能给出意见。
3、D2P是饱和二极管,它属于直热式二极管。屏压400V,电流400uA。
4、这个电子管参数如下:阳极电压:约为20KV。电子枪加速电压:约为10KV。阴极加热电压:约为3V,电流约为10A。最大输出功率:约为10MW。工作频率范围:约为300MHz至400MHz。
另外,gm越大,要造出大功率的管子难度也越大,价格越高。市面上的小功率管gm可以很高,但大功率管的话,gm一般都很小。
跨导值越大,意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化,意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积,等于共源放大器的空载电压放大倍数(空载电压增益系数)。
好。跨导是指阳极电流的变化与控制栅极电压的变化之比值,因为高跨导的管子它的内阻往往是很低的,内阻越低自然对降低输出阻抗是非常有利的。
高挎导电子管的声音比低挎导温暖柔和。我个人的感觉是。
对电流的控制能力有影响。跨导表明了栅极电压对屏极电流的控制能力,跨导越大,说明三极管栅极电压对屏极电流的控制能力越强,可以理解成类似晶体三极管中的电流放大倍数,跨导越小则反之。
跨导值越大,意味着可以用更小的栅源电压控制漏极电流发生更大的变化,意味着放大作用更大。跨导和漏极电阻的乘积,等于共源放大器的空载电压放大倍数(空载电压增益系数)。
就是偏置的作用。三极管也“类似”,因此三极管能通过”交流信号的前提条件是要给它加上正确的偏置电压。
由于其输出特性曲线和五极电子管相同为饱和型的;而输入阻抗也是高阻的,是电压放大器件。所以其增益A为: A=gm×RD 其中gm为VMOS管的跨导、RD 为VMOS管的漏极负载电阻。
MOS管的gm如同三极管的β,是衡量MOS管放大能力的标志之一。 不过话说回来,不是什么时候都需要放大能力强,比如在做开关管的时候,就需要器件能很快地在饱和、截止状态之间转换,达到深度饱和的速度要快。
在MOS管中,跨导指MOS管输入端的电流变化与输出端电流变化的比值。具体来说,当MOS管工作在其放大区时,其输出电流随输入电流的变化而变化,并通过其跨导这种指标体现出来。
跨导(Transconductance)是电子元件的一项属性。电导(G)是电阻(R)的倒数;而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。跨阻(转移电阻),也常常被称为互阻,是跨导的双重性。
m为MOS管的跨导值(即导数),RDS(on)为硅片表面的接触电阻,RCH为沟道电阻。mos阻在mos场效应管(MOSFET)中,因为器件的结构和材料的因素,会产生一些零散的电阻,不在电路设计中考虑,但仍然存在。
它们是电流控制装置和电压控制装置。FET的增益等于其跨导)gm,跨导定义为输出电流的变化与输入电压的变化之比。FET的名字也来源于它的输入栅极(称为gate),它通过在绝缘层(氧化物SIO2)上投射电场来影响流经晶体管的电流。
MOS管导通特性 导通的意思是作为开关,相当于开关闭合。 适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到一定电压(如4V或10V, 其他电压,看手册)就可以了。
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