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1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。
2、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
3、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。
4、你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
1、饱和状态就是发射结和集电结都处于正偏状态，Uce很低（UceUbe），Ic不受Ib控制，三极管失去放大作用，集电极和发射极之间相当于一个接通的开关。
2、三极管的饱和状态，是包括Ic趋于0的状态的，这一点请自已体会、理解。通过给三极管发射结加上正向导通偏压，同时给集电结加上正偏，三极管一定是在饱和区（一定不在放大区，包含Ic为零的情形）。
3、集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。
4、发射极正偏集电极反偏，三极管处于放大状态；发射极正偏集电极正偏工作在饱和区；发射极反偏集电极反偏工作在截止区；发射极反偏集电极正偏工作在反向放大状态。
5、由于三极管本身的工艺要求，三极管基极电流有一个上限值，不可能无限增大，因此你这种观点是错误的。三极管在饱和状态时基极电流对集电极电流的影响很小，其主要与CE间的电压有关。当UceUbe时，三极管进入饱和状态。
6、三极管在深度饱和的状态下，Ic = β Ib 的关系不成立，三极管的发射结和集电结都处于正向偏置，导电的状态下，在电路中犹如一个闭合的开关。所以相当于短路。Ic-Uce输出特性曲线斜率趋近于无穷大，也就是电阻接近为零。
饱和的条件：集电极和电源之间有电阻存在，且越大就越容易管子饱和；基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。
饱和的实质正是由于集电结正偏而使Ic脱离了与Ib的线性关系（请复习三极管构造）。三极管的饱和状态，是包括Ic趋于0的状态的，这一点请自已体会、理解。
一方面。三极管的饱和状态也就是三极管的输出电流饱和——输出电流不随输入电流而改变的一种状态，即输出电流恒定、只决定于输出回路的电源电压和负载电阻的一种状态。因此，在饱和状态时仍有电流通过正偏的集电结。
在晶体三极管中，发射结正偏，集电结也正偏，集电极电流不受基极电流控制的区域，就是晶体管饱和区。在此区域内，VCEVBE，βIBIC，VCE≈0.3V 。
由于三极管本身的工艺要求，三极管基极电流有一个上限值，不可能无限增大，因此你这种观点是错误的。三极管在饱和状态时基极电流对集电极电流的影响很小，其主要与CE间的电压有关。当UceUbe时，三极管进入饱和状态。
饱和就是一种状态（对应的是三极管输出特性曲线中的一块区域），不过饱和严格的说是一个过程，有程度深浅之分。
饱和状态的电流走向与放大状态是一样的，不过饱和状态时，IC与Ib并不没有Ic=BIb（B：贝塔）关系，而是IcBIb。
三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。
三极管饱和状态下的特点 要使三极管处于饱和状态，必须基极电流足够大，即IB≥IBS。
1、饱和对应的是发射极正偏，集电极也正偏的状态。集电结内电场对基区内非平衡载流子吸引力下降，IC随VCE下降而减小，同时集电结正偏， IB增大。IC只和VCE有关。
2、你的理解没有错误，理解到这种程度已经下了功夫了。但确实还有一点问题，主要在于：过于在意“极电结正偏”了。其实，在饱和区，即便是极电结正偏，也还没有达到极电结的正向导通电压。
3、饱和的条件：集电极和电源之间有电阻存在，且越大就越容易管子饱和；基集电流比较大以使集电极的电阻把集电极的电源拉得很低，从而出现b较c电压高的情况。
4、三极管饱和后，C、E 间的饱和电阻RCE＝UCES／ICS，UCES 很小，ICS 最大，故饱和电阻RCES很小。.饱和后IC不会随着IB的增加再增加，三极管饱和后C、E 间视为短路。
1、三极管饱和导通时的电流是在外电路的电源和负载驱动下流动的，电流方向由电源正极图负载、三极管的ce极流向负极。
2、三极管属于电流型控制元器件，也就是小电流控制大电流，其有三个工作区间：截止区、放大区和饱和区。
3、三极管进入饱和状态，其特征是发射结和集电结均处于正向偏置。对于共射电路，UBE》UON且 UCE《UBE。此时IC不仅与IB有关，而且明显随UCE增大而增大，IC《IB。
4、从电压上描述是：三极管发射结正向偏置， 集电结零偏置或正向偏置；Ube ≈ 0.7 V，Ubc ≥ 0 V 。从电流上描述是：基极电流乘以放大倍数大于集电极电流：Ib * β Ic ≈ Vcc / Rc，电源电压除以集电极电阻。
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