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ao3400，N沟道的场效应管，sot23封装，30V耐压，导通电阻100毫欧，过100mA电流时压降不到10mV。
sup75n08是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)，它具有特定的电气特性和参数。如果需要替代sup75n08，可以考虑以下因素： 参数匹配：选择一个具有相似电气参数的MOSFET来替代sup75n08。
场效应管内阻小的好。内阻越小，内阻压降就越小、内阻分流就越小。电子电工技术人员都知道，电路板上密密麻麻的电子元件，除了使用频率很高的二极管，电阻，三极管、电容、芯片、变压器等等。还有一类很重要的元器件场效应管。
VMOS场效应管 VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。
输入映像寄存器的标识符为I，在每个扫描周期的开始，CPU对输入点进行采样，并将采样值存于输入映像寄存器中。输出映像寄存器在每个扫描周期的末尾，CPU将输出映像寄存器的数据传送给输出模块，再由后者驱动外部负载。
1、V/150A、100V/120A、85V/210A 、80V/250A、200V/40A、100V/250A、60V/300A、40V/300A、-100V/60A、60V/80A、60V/120A 、60V/100A、40V/120A 、100V/15A 海飞乐MOS管。
2、Vds一般选用600V或者800V，Rds尽量小点的话效率会高点，还有就是承受电流的能力。别人10n60就是10A/600V的mos管。还有就是厂家，比如FairChild、SHIP等啊，差别蛮大的。
3、第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道 MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该 MOS管就构成了低压侧开关。
4、MOS管主要参数如下：开启电压VT ·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
5、台灯电路中，有用MOS管作开关电源将高压变低压後控制灯具如LED ，又有用MOS管作镇流器点亮节能光管， 又有...等等。选用的MOS管要清楚工作电压，需要电流功率等。一般MOS管驱动要求和三极管一样。
6、mos防反接一般用于大电流，二极管用于小电流。一般要在G极加稳压管和限流电阻，稳压管作用是稳定VGS电压，保护MOS。mos管DS串接在主电路中。
1、管脚一般不是限制MOS管电流的瓶颈，封装内部的打线（就是芯片和管脚之间的金属线，大电流管子铝线或铝带比较多）往往才是限制一些大电流MOS管电流能力的瓶颈。
2、你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。
3、短时间可以的，但发热巨大，所以一般设计的时候每换to220实际电流取值10a，这样就好多了。
4、事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。
5、因此，当静电放电电流通过面积很小的pn结或肖特基结时，将产生很大的瞬间功率密度，形成局部过热，有可能使局部结温达到甚至超过材料的本征温度(如硅的熔点1415℃)，使结区局部或多处熔化导致pn结短路，器件彻底失效。
1、网上可以查到的。通常这种型号，导通电阻都是毫欧级的，很小。
2、N65的电性参数是：连续二极管正向电流(IS)为6A，漏源电压为650V，二极管正向电压(VSD)为4V，其中有3条引线。
3、N65的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为4V，反向恢复时间(Trr)为293nS，输出电容(Coss)为95pF，其中有3条引线。
4、A，45A，47A，60V55A，61A，62A，69A，90A，105A，60V120A，132A，140A，152A，161A，198A，60V230A，250A，340A，380A，封装有：TO-220，TO-247，TO-252，TO-262，SO8，DFN5*6，DFN3*3，SOT-227。
5、SPW47N60C3的基本性能参数 SPW47N60C3是一款高性能的功率MOSFET，具有优异的电气性能和热性能。它的主要参数包括：最大漏极电流为47A，最大漏极-源极电压为600V，最大导通电阻为0.19欧姆，以及最大结温为175℃。
扬杰科技 扬州扬杰电子科技股份有限公司是国内少数集半导体分立器件芯片设计制造、器件封装测试、终端销售与服务等产业链垂直一体化（IDM）的杰出厂商。
从碳化硅肖特基二极管到MOSFET，三安集成在3年时间内便完成了碳化硅器件产品线布局。在保证器件性能的前提下，提供高质量高可靠性的碳化硅产品。
这是国内首条6英寸碳化硅生产线，获得了国家“02专项 ”、国家发改委新材料专项等国家重点项目支持，是中车时代电气的重点投资项目之一，实现碳化硅二极管和MOSFET芯片工艺流程整合，成功试制1200V碳化硅肖特基二极管功率芯片。
清纯半导体是国内碳化硅领域最优秀的初创公司之一，团队拥有行业内最丰富的碳化硅设计和制造经验，公司成立仅一年多时间即完成SiC MOSFET产品研发并通过车规认证，产品性能比肩海外同行，有望在电动车主驱等环节率先实现国产化”。
MOSFET模块简称MOS模块，一般采用SOT-227封装，海飞乐技术封装碳化硅MOS管，SIC MOS模块，包括车用低压大电流MOSFET模块。功率MOS模块有以下优点：开关速度快，安全工作区宽，热稳定性好，线性控制能力强，电压控制。
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