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这些大功率的进口的比较多,台湾也有几个品牌。这个有20A,29A,30A,33A,34A,38A,45A,600V47A MOS管,50A,55A,60A。海飞乐技术封装这些MOS。
ASEMI低压MOS管SI2302的参数为:最大电压为30V,最大电流为4A,Rds(on)为0.14Ω,漏极极容为7nF,能耗为8W,最大功耗为5W。
可以用这个型号的MOS管:WPM2341-3/TR N沟道的,封装小巧,用在600mA电流的场景够用又有一定的余量,比较合适。
BSP75N VIgs(th)=8V 再小的话非常容易误动作。你那个图,M不是mos,2V/600mA应该是描述额定工作状态,跟MOS管的VGS没关系的,再说,你图上Q4是个三极管。
找不到最大电流60A的,瞬时脉冲电流可以超过60A,但是连续电流最大只有50A的,导通内阻也没有那么小的。MTP50P03和MTB50P03,最大连续电流50A,瞬时脉冲电流150A,开启电压典型值5V,最大值2V,导通电阻20mΩ。
1、mosfet是金属氧化物半导体场效应晶体管。
2、MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗,在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。
3、mosfet是指场效应管,它也是一种晶体管,它在任何地方使用或者放在仓库里躺着,都叫“场效应管”可见它的名称是固定的。也有许多电源根本不用场效应管,而用普通大功率晶体管。
4、金属-氧化层-半导体-场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。
5、MOSFET是指金属氧化物场效应管,具体的可分为P沟道和N沟道,一般用得多的是N沟道的。MOS管是电压控制型的元件,可以用一个驱动电压来控制其漏极和源极的通断从而实现开关功能。
6、MOSFET (电力场效应晶体管)驱动电路简单,需要驱动功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性高于GTR但是电流容量小。
常见型号例如NTMFS4935/4845/4841,NTD4805/4809/4959。这和ONsemi可靠的性能及相对平和的价格不无关系——通常CPU和RAM附近的供电都很经常见到ONsemi的管子。
常见型号例如NTMFS4935/4845/4841,NTD4805/4809/4959。这和ONsemi可靠的性能及相对平和的价格不无关系--通常CPU和RAM附近的供电都很经常见到ONsemi的管子。
在笔记本主板上用到的MOS可简单分作两大类:信号切换用MOS管: UG比US大3V---5V即可,实际上只要导通即可,不必须饱和导通。比如常见的:2N7002,2N7002E,2N7002K,2N7002D,FDV301N。
日系的可以做到,尤其富士的。富士FAP-|||B系列的VGS大多是5V。这些是低压管,市场定位不太匹配,可能成本比较高。列举几个型号给你:2SK2806-01;2SK2808-01MR;2SK2896-01L,S。
ufz24nl可以用FHP50N06低压MOS管替代。根据查询相关信息得知,飞虹生产的型号为:FHP50N06低压MOS管就可替代型号:IRFZ44N低压MOS管。飞虹这款FHP50N06低压MOS管N沟道沟槽工艺MOS管,适用于电机调速电路100W-12V输入。
法则之三:选择MOS管的下一步是系统的散热要求 须考虑两种不同的情况,即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果,因为这个结果提供更大的安全余量,能确保系统不会失效。
很多马达驱动器都集成了电荷泵,要注意的是应该选择合适的外接电容,以得到足够的短路电流去驱动MOS管。上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压,设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高,导通速度越快,导通电阻也越小。
漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试。
如果是低频开关电路,可以选三极管,高频的要选MOS管。三极和一般工作在线性区,比如做一些线性电源。MOS管就要工作在完全开通状态。
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