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本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。
：这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。2：QP1 栅极需要和漏极电压（vcc）一致时才会关闭，那么R5的存在是必须的，它可以关断QP1。
你的“背靠背连接”是指什么意思？如果是两个管子并联，就是加大电流，用两只管子代替一只管子，提高驱动能力。如果是 复合管连接，就是增大管子的跨导，即增大放大能力。
N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。
因为对于MOS管来说，管内的衬底在制造时被连接到了S端，S端已经被确定了，而DS端无法互换，但是DS间的电流方向却可以是双向的。
由于这个寄生二极管的存在，当沟道关闭后，mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此，为了让mos管正常工作，必须保证该寄生二极管处于反偏。
MOS管分为N沟和P沟。在版图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。
记本板子上有很多MOS管，有八脚 的 有六脚的。八脚的又分单双，单MOS管又有P沟道和N沟道之分 一般说P沟道是低电平导通 N沟道是高电平导通 笔记本上一般95%用的是N沟道 。
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体（insulator）—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，它们都是在P型backgate中形成的N型区。
这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
这应该是说保护板上面的MOS管。一个保护板上面，一个MOS负责冲电，一个负责放电。这样保护板上面就有两个MOS管。有些型号把两个MOS的功能结合起来，变成一个MOS，如AO8810，这样板子上面就只有一个MOS。
MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。
所以MOS管才是控制电压的晶体管。把MOS管想像为一个阀门，它的栅极就象一个控制水流是否能通过的开关。MOS管是电子电路中常用的功率半导体器件，可以用作电子开关、可控整流等，是一种电压驱动型的器件。
1、正电源开关mos接法。根据查询相关信息显示，这种是常见的正电源开关mos接法，一般电源都是负端开关，但是这是正端，所以需要2个场效应管。
2、两个MOS管并联使用的作用是为增大输出电流，一般用在功放的末级电流不够时才用此电路。
3、本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。
4、mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。
5、当然可以，不过用一个，它提供的电流会相对变小，发热量增大。
6、电源开关，还是开关电源。用一个开关管的也有，用两个的也有，用四个的也有，用八个的还是有。其实最多的还是用一个开关管的，用3842系列的PWM电路驱动，只是功率稍小，一般用于150瓦以内。
有些MOS管IC中，将两个MOS管集成在一个IC中，就是双MOS。如：AO4800是双NMOS，AO4801A是双PMOS。
电脑主板的MOS管是场效应晶体管器件，两个或三个一组，或多相组合，用来与主板上电压控制分配 IC配合，进行DC-DC直流电压变换，为CPU或内存，以及各板载IC芯片，或接口插槽，提供所需工作的稳定供电。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
mos管用作了可双向导通的开关，工作在开关状态。
放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。
主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。
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