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1、mos管的线性区就是 可变电阻区,其阻抗与栅压成反比;mos管的饱和区是放大区,其电流电压曲线如三极管的放大区。
2、. 功率MOS管的工作状态 电子负载是利MOS的线性区,当作可变电阻来用的,把电消耗掉。
3、在放大状态(MOS管工作于恒流区)时,输出特性曲线可近似为与横轴平行的一根直线,因此此时可以用一根转移特性曲线来代替恒流区的所有曲线。但在可变电阻区时,对于不同的UDS,转移特性曲线变化很大。
4、UDSUGS-UGS(th)时,恒流区(相当于三极管放大区);你现在可以计算一下:UDS=8VUGS-UGS(th)=2V,所以明显是属于恒流区,此时对于每个UGS,都有一个iD与它对应,MOS管可视为电压UGS控制的恒流源。
5、p沟道耗尽型mos管在恒流区条件 可变电阻区就是栅级电压过了Th阈值,但是还没有完全导通的这个阶段,也就是米勒阶段 而恒流区是指栅极电压过了米勒阶段。
1、区别:载流子:三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
2、三极管和MOS管的区别:工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
3、主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
4、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制, 成本问题:三极管便宜,mos管贵。 功耗问题:三极管损耗大。 驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
区别:载流子:三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
三极管和MOS管的区别:工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,成本问题:三极管便宜,mos管贵。功耗问题:三极管损耗大。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
区别:载流子:三极管是双极型管子,即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
三极管和MOS管的区别:工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制。成本问题:三极管便宜,MOS管贵。功耗问题:三极管损耗大,MOS管较小。驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。
主体不同 MOS管:金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。三极管:半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
工作性质:三极管属于电流控制,MOS管属于电压控制。成本方面:三极管价格比MOS低。功耗方面:三极管损耗比MOS大。驱动能力:三极管用于数字电路开关控制。
区别很大:一个是电流驱动型(三极管);一个是电压驱动型(MOS);三极管便宜,mos管贵。三极管损耗大。mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。
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