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1、mos管是电压控制元件，在某些方面使用起来很方便，当然，在开关电路中，由于mos管的导通电阻很小，所以使用也非常好，在开关电路中应用，就是一个能够受控制的开关，一般是受电压信号的控制。
2、带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
3、一般2V～4V就可以了。P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为8V，G为8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为8V。
4、是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。
5、管的开关电路原理是通过控制门电压来控制通过MOSFET管的电流。当门电压高于源电压时，MOSFET管导通，当门电压低于源电压时，MOSFET管不导通。在开关电路中，MOSFET管可用来替代传统的电源开关，实现较高的效率和更小的损耗。
6、静态特性 MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。
1、测量直流电压要先保证通道的耦合方式处于直流状态，像电池电压的话因为比较低，探头衰减比一般1X即可，垂直档位设置1V或者500mv。然后确保示波器的触发模式处于自动状态。
2、具体方法如下：将示波器的探头分别接在初级MOS管的输入端和输出端。调节示波器的水平扫描和垂直扫描，使波形能够在示波器屏幕上清晰显示。
3、将示波器探头与输出端连接，看示波器上是否有显示数据波形。
4、用示波器测量峰到峰的电压，一般按以下步骤进行：（1）连接示波器 （2） 按说明书接通示波器。（3） 用校准信号校正Y轴增益。（4） 输入选择在交流位置，将探头连接被测信号。
用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。
若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。
做完以上准备工作后，按以下三个步骤操作，即可判断控制器好坏。
可以用万用表测量场效应管的好坏。使用万用表二极管导通档，从左至右一般都是GDS排列，量最右边管脚S到中间脚D是否正向导通，但不短路，量左边脚G与右边脚S是否相互不导通，如此则为好的N-MOS。场效应管英文缩写为FET。
若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。
把电阻RS接到场馆的漏极（D极）与正电源之间即可。这样G极加上3~4V即可导通，RS上即可得到36V电压。
因为功率器件场效应管mos参数简介显示：D极-S极所能承受电压值，主要受制寄生逆向二极管的耐压，与温度成正比，并不是导通阻抗和温度成正比，如果驱动电压小于10v，mos管都没有完全打开，内阻会比较大，温升肯定大。
可以用作可变电阻。可以方便地用作恒流源。可以用作电子开关。简介：mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。
你电路的问题很明显，要了解原理，请参考以下电路：带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。
现在遇到的问题是： 当A点为低电平时，B点能得到5V电压；而当A点为高电平时，漏极并没有完全关断，B点还有8V。如果不连外部模块，B点是可以得到0V的。
关键词：mos管
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