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mos管测量（MOS管测量好坏）

发布时间：2023-09-02
阅读量：34

本文目录一览：

mos管怎么测试好坏

用测电阻法判别场效应管的好坏：测电阻法检测MOS管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

可以用测电阻法测量场效应管的好坏，用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。

若MOS场效应管内部D-S两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。用万用表的二极管档给5N60C栅源两极（G-S两极）之间的电容充电。

做完以上准备工作后，按以下三个步骤操作，即可判断控制器好坏。

怎样测MOS管的导通电阻

1、用测电阻法判别无标志的场效应管：首先用测量电阻的方法检测MOS管得找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。

2、粗略测量：设计一个电阻串联MOSFET的电路，给一个恒压源。

3、设计一个电阻串联MOSFET的电路，给一个恒压源。

4、主要有两种类型：结型场效应管（JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

5、MOS管有3个脚，分别为g栅，s源，d漏（不管是NMOS还是PMOS），g栅极与s和d是隔着氧化物的，所以gs间和gd间的电阻是无穷大的，而ds是可以互换的，那个电压高那边就是漏极。

电动车控制器MOS管如何检测好坏

如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。（整体如图）根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。

把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。

黑表笔 控制器正极；红表笔分别测试 三根控制器相线。三个相线测试结果相差5以内。红表笔 控制器负极；黑表笔分别测试 三根控制器相线。三个相线测试结果相差5以内。

）如步骤1）、2）的测量正常，则表示无刷控制器内的MOS管基本正常，把控制器与整车连接，接通电源，拔掉制动线，用万用表电压档测量转把5V电压是否正常。若以上测量正常，则表示控制器基本正常，否则可判定控制器损坏。

场效应管(MOSFET)检测方法与经验

在上述场效应管测试框图中，SMU CH1的正极连接到FET的栅极，SMU CH2的正极连接到FET的漏极。如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。

N沟道MOS场效应管好坏的测量方法 用数字万用表二极管档正向测量5N60C的D-S两极。

N绝缘型场效应管的放大工作必要条件为：GS端电压大于0，DS端电压大于0。（P型相反）在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。

检验方法：用测电阻法判别结型场IRF540N效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。

IRF540N的使用方法是：将IRF540N接入开关电路中即可发挥N型场效应管的作用。三个腿从正面看分别是G、D、T。G的作用是控制极，D的作用是与散热孔铁片相连，T的作用是用来接地。

测量mosfet门极阈值电压的方法

跨导外推法基于FET的特性曲线，通过测量FET的输出电流和输入电压之间的关系来确定阈值电压。

示波器测电压的方法：示波器钩针接被测电压，黑色的夹子夹“被测电压的地”（使示波器和被测电压有一个公共的参考点）。示波器的探头通常有“×1”和“×10”两种衰减形式，“×1”情况下不进行衰减。

在波形图上测量到ID=0.1uA时，VGS=0.356V，那么VT（ci）=0.356V；ID=1uA时，VGS=0.467V。在波形图上测量到gm（max）=26u，此时VGS约为0.675~0.679V，就取。

如果需要从FET的所有三个端子进行源和测量，FET的源极连接到两个SMU通道的负极或可使用第三台SMU。

把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无穷大。如果有阻值没被测MOS管有漏电现象。

关键词：电阻 mos管 导通电阻

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