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mos管漏电流（MOS管漏电流公式）

发布时间：2023-09-02
阅读量：19

本文目录一览：

mosfet漏电流不饱和原因

VDS=VGS，处于非饱和区，所以漏电流没饱和，另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。补充：你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了。

原因如下：在最大电流下晶体管处于开启状态，电流受阻的是栅极的电流，而非漏极电流。在增强型MOS管的设计中，为了避免漏电流过大，会采用掺杂少量P型材料的技术从而达到减小漏电流。

另外由于集成电路制作工艺的限制，在MOS管各极之间及内部会有寄生电容等寄生效应产生，也会导致一定的漏电流产生，不过在中频的时候一般工程应用中都忽略了这些因素，采用简化的电路模型计算。以上是我的理解，不一定准确。

mos管在饱和区时,其电子沟道已经被夹断了,为什么还有漏电流存在了?

1、第一步：选用N沟道还是P沟道为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

2、夹断后，不是完全夹断的。靠近源极，还是有沟道的，靠近漏极的沟道被夹断的。在夹断沟道内，存在比较强的电场，所以对电子还是有很强的吸引作用的。电子会被拉入漏极。形成电流。

3、因为夹断后它的漏端形成了空间电荷区，由于空间电荷区的高电场作用，在沟道中的电荷当遇到这个区域时会很快的被扫到漏端，即其导电机理。

4、实际上由于自由电子的存在，自由电子的附着在sio2和N+、导致D-S有漏电流。

5、沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。

mos管饱和区漏极电流不饱和原因

1、VDS=VGS，处于非饱和区，所以漏电流没饱和，另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。补充：你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了。

2、原因如下：在最大电流下晶体管处于开启状态，电流受阻的是栅极的电流，而非漏极电流。在增强型MOS管的设计中，为了避免漏电流过大，会采用掺杂少量P型材料的技术从而达到减小漏电流。

3、这管子中的（饱和）电流是用来做功的，它就必挂有外负载。而这些外负载就限止这个电路中的最大电流。除非你在有足够能力的电源上短路这管子才有可能让它到它额定的饱和电流。

4、用法不对，把mos管换成PMOS。后线性负载换到D级处，电阻换上去即可完成饱和。

增强型mos管为什么不存在饱和漏电流

1、当MOSFET进入饱和区之后，漏电流发生不饱和现象，其中主要的原因有沟道长度调制效应，漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。因此即使是处于饱和区的mosfet也会由于这些因素，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。

2、VDS=VGS，处于非饱和区，所以漏电流没饱和，另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。补充：你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了。

3、源极和衬底连接是MOS管的一种用法。两者相连时相当于pn结（衬底-源）上接零电压，pn结耗尽区中漂移流与扩散流平衡，pn结上总电流为零。 栅源不加电压时，沟道不开启，不会有漏源电流。

4、mos管是场效应管，是表面器件，对于增强型mos管是需要衬底反型形成导电沟道才能导电。上图为nmos管结构剖面图。当nmos管G不加电时，在漏源之间加电压，（漏接高源接低）。那么对于D端来看，衬底P和D端的n 是pn结反偏。

5、这管子中的（饱和）电流是用来做功的，它就必挂有外负载。而这些外负载就限止这个电路中的最大电流。除非你在有足够能力的电源上短路这管子才有可能让它到它额定的饱和电流。

6、改变栅源电压UGS的值，就可调整导电沟道的宽度，从而改变导电沟道的导通电阻，达到控制漏极电流的目的。 可见，此类管子，在栅源电压UGS=0时，D、S间没有导电沟道。UGS≥UT时，才有沟道形成，因此称此类管子为增强型管。

N沟道耗尽型MOS管工作在恒流区时,g极与d极之间的电...

1、从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

2、主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

3、它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。

mos漏电流和接触电极面积有关系吗

1、漏极电流Id与漏源电压Vds和栅源电压Vgs皆有关系。以N沟道增强型MOS管为例：当Vgs一定时，Id随Vds的增大出现先增大再恒定最后激增的现象；当VgsVgsth增加时，Id也随之呈增大趋势。

2、栅源电压UGs向负值方向变化时，漏极电流ID逐渐减小。栅源电压UGs=UP时，漏极电流JD=0。rDss称为饱和漏极电流，UP称为夹断电压。输出特性曲线 输出特性曲线是表示在栅源电压一定条件下，漏极电流与漏源电压之间的关系，如图8-5所示。

3、漏电流ILC 是电解电容器五大电参数之一，用来表征电解电容器的绝缘质量。与施加电压的大小、环境温度的高低和测试时间的长短都有密切关系，故在规定漏电流值时必须标明其测试时间“t”、施加电压“U”和环境温度“T”的大小。

关键词：增强型mos管 mos管

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