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1、如果是物理学参数，d表示极板间距离（介质厚度），Q表示电容器储存的电荷量；如果是电容器工程参数，D代表电容器的损耗角正切值tgδ，表示它工作时的发热情况。
2、d表示极板间距离（介质厚度），Q表示电容器储存的电荷量。物理学参数上表示：d表示极板间距离（介质厚度），Q表示电容器储存的电荷量。Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。
3、电容的Q值和D值：Q值为品质因素，D 值为损耗角因素，也叫TAN&损耗角。Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。
4、s表示：两极板正对，错动极板会导致正对减小也会使电容减小。4∏k表示：常数 ，即有自己的数字，是定量。d表示：两极板的距离。C表示：在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。
1、Q表示的是 两极板的带电量，两个极板的总电量。C = εS / 4πkd 这个才是最标准的 ， 它是决定式。
2、如果是物理学参数，d表示极板间距离（介质厚度），Q表示电容器储存的电荷量；如果是电容器工程参数，D代表电容器的损耗角正切值tgδ，表示它工作时的发热情况。
3、Q的单位是C（库仑），C的单位是F（法拉），U的单位是V(电压)。电容（或电容量， Capacitance）指的是在给定电位差下的电荷储藏量；记为C，国际单位是法拉（F）。
1、区别如下：低频电容，电容容量大且易发生漏电，而高频电解电容不会。低频电容内阻比高频电解电容大。高频电容容量一般不能做到与低频电容那么大。
2、区别如下：高频电容容量一般不能做到与普通的电解容量那么大。高频电容适合于在频率较高的电路，而普通的电解电容适合于在频率较低的电路。普通的电解电容，电容容量大且易发生漏电，而高频电解电容不会。
3、首先，高频低频是相对的。如果频率太高，那么，电容的容量变得再大也没有意义，因为，大家知道，线圈是电感，是阻高频的，频率越高，阻碍作用越大。
电容计算公式：一个电容器如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，则该电容器的电容是1法，即：C=Q/U 电容大小计算公式：电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定，即：C=εS/4πkd 。
物理电容公式如下。C=Q/U（定义式）C=εS/4πkd（决定式）C为电容，Q为电量，U为电压，ε是相对电介质常数，k代表静电力常量（是不会变的，就一个定值k=0×10^9N·m^2/C^2）。
电容的通用公式：C=Q/U。平行板电容器专用公式：板间电场强度E=U/d 。电容器电容决定式 C=εS/4πkd。简介 电容器的电势能计算公式：E=C*（U^2）/2=QU/2=（Q^2）/2C。
在考试中常用的电容公式：电容计算式：C=Q/U；电容储存能量E=0.5CU，均为标准单位。在解题中运用到的公式：C＝Q/U；C＝εrS/4πkd；E＝U/d。
电容的公式（定义式）：一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U。但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即电容的决定式为：C=εrS/4πkd。
电感电容公式分别是V=LdI/dt，C=Q/V。其中，V为电感器上产生的感应电动势，单位为伏特V，L为电感器的电感量，单位为亨利Henry，简写为H。dI/dt为电流变化率，单位为安培/秒A/s。所以电感公式是V=LdI/dt。
电容大小计算公式：电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定，即：C=εS/4πkd 。其中，ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离， k则是静电力常量。
一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，即：C=Q/U 但电容的大小不是由Q（带电量）或U（电压）决定的，即：C=εS/4πkd 。
电容量的计算公式是C=Q/U 。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法拉，即：C=Q/U 。
可以通过公式计算电容。通常简称电容器容纳电荷的本领为电容，电容是电容器的一种固有性质，由电容器极板材料，两极板之间的距离决定，与电压没有关系。对于平行板电容器，有通用公式C=Q/U，即电容=电荷量/电压。
电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。
在交流电路中电容中的电流的计算公式：I=U/Xc，Xc=1/2πfC，I=2πfCU，f：交流电频率，U：电容两端交流电电压，C：电容器电容量。
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