mos管的关断（mos管关断时仍然有电压输出）

发布时间：2023-09-02

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耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别：耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

电压不同高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。

MOS管自身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又十分小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成适当高的电压。

功率mosfet 的三个端口，G极，D极，S极。G极控制mosfet的开通，关断，给GS极之间加正向电压(高电平)，达到导通电压门槛值之后就能导通。同理，给一个低电压(低电平)mosfet就能关断。

MOS管的完全关断很不容易，你这样肯定不行，形式上关断后，漏电流足够点亮LED了。如果想比较好的关断，需要用到负电压。

OR逻辑来连接多个电源的输出。在ORingFET应用中，MOS管的作用是开关器件，但是由于服务器类应用中电源不间断工作，这个开关实际上始终处于导通状态。其开关功能只发挥在启动和关断，以及电源出现故障之时。

mos管的关断（mos管关断时仍然有电压输出）

欧姆和50k。根据查询相关过来信息显示，1000欧姆电阻和50k电器可用于mos管栅极。Mos管用于控制大电流通断，经常被要求数十K乃至数M的开关频率。

.47---1 殴不等，实在看不出的话，也可取0.68殴。

大功率mos管(不仅仅是irfp4468)在开通和关断时基本不需要多大栅极电流，因为只是给寄生电容（P法级）充放电而已，栅极电阻倒是必要的，几百欧姆足以。

mos的内阻值在70到200欧姆之间。因为mos接触电阻、通道电阻、扩散区电阻件值通过的阻值在70到200欧姆。根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。

尖峰电压，是单位电荷在静电场中由于电势不同所造成的。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。

有尖峰有可能是吸收电路中C偏小了。RCD电路参数设计网上都有，根据需要自己看吧。还有一个问题，开关频率越高，尖刺也就会越高，如果没有硬性要求，可以把开关频率降一降。

电感性负载具有电感性质：自感电势与电流变化率成正比。开关管关断越快，管子功率损耗越低，但是引起电流突变，导致尖峰电压，所以开关管都有并联续流二极管，使感性负载有能量释放的回路。

另一部分是主管开通时，由于原副边耦合不紧密导致原边漏感中存储了一部分能量。当主管关断后，这部分能量会与主管的输出电容形成谐振，在输入电压叠加了反射电压后，再谐振出一个尖峰。

单端正激式电路是用电感贮能，开关管开通时，电感贮能，当开关管关断时，电感放电。如果开关管关断时，电感如果没有另外的放电回路，将会产生极高的电压，把开关管击穿！所以，单端正激式开关一定要加一个二极管做续流用。

关键词：电阻 mos管