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T2应该具有很大的输出交流电阻，为此就需要采用长沟道MOSFET，并且要减小沟道长度调制效应等不良影响。上右图是用BJT构成的一种基本恒流源电路。
流控制功能。连接在RT 的电阻设定MOSFET 的关断时间。每个周期开始，MOSFET 打开直到电感电流上升到峰值 I V / R (mA) P REF CS = 。这时MOSFET 关断，关断时间由Toff 4 10 5 R (us) T = × × 决定。
一个电路洞洞板，一个1Ω / 5W 电阻，一个LM358Ic，两个合适大小的接线端子，一个IRFZ44N N型场效应管 MOSFET，一个500k 电位器。
满足Ucs》Ucs（th）（开启电压），uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制。当uGs一定时，ip与uDs成线性关系，该区域近似为一组直线。
mos管V(gs)大于夹断电压Vt时V(ds)之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。
结型场效应管需要加反向电压使两边的pn结的耗尽层变宽从而改变导电沟道的宽度使其介于预夹断与夹断之间的区域，即恒流区。
MOJAY(茂捷) M8900是一款原边反馈、带单级有源PFC高精度的LED恒流控制芯片，M8900集成了单级有源PFC线路，可实现较高的功率因素和很低的总谐波失真，芯片可以进入准谐振模式，从而实现较高的效率和降低的开关损耗。
利用谷开关控制原边MOS管，实现低开关损耗 0.3V原边电流采样参考电压，连接阻值较小的取样电阻，更小的传导 损耗。
你可以试试UCS2915 合适的话可以与我联系 UCS2915 是一款连续电感电流导通模式的降压恒流源，用于驱动一颗或多颗串联LED。UCS2915输入电压范围从8伏到30伏，输出电流可调，最大可达2安培。
LED ，发光二极管（light emitting diode缩写）。
设定单片机的一个IO为PWM控制，同时设定另一个IO为反馈。PWM控制IO通过驱动电路驱动MOS管。负载一端串联一限流电阻，要求精度在1%，将限流一端的电压采集输入到MCU的反馈IO口。
在LED的回路中串联一个小阻值大功率的电阻，取电流样，然后再用电位器制作一个基准电压与电流取样电压进行比较。比较器输出驱动MOSFET，可以实现恒流控制，通过调节LED灯上的电流来控制亮度。
1、mos管V(gs)大于夹断电压Vt时V(ds)之间的电压很小，也就是俗称的导通状态。
2、关键在于MOS管的结构和工作原理。你的不足在于，没有很好地理解MOS管的工作原理N沟道管子，衬底是B，而且是P型半导体，B与源极S连在一起。
3、结型场效应管需要加反向电压使两边的pn结的耗尽层变宽从而改变导电沟道的宽度使其介于预夹断与夹断之间的区域，即恒流区。
三极管的型号任选一款小功率NPN型三极管即可，即便是小功率三极管，集电极额定电流通常也能满足20mA的要求。假设三极管的电流放大倍数β不低于100，那么R2的阻值选用0.6V/20mA=30Ω，R1的阻值3k~5k就可以。
Q2完成电流恒定；R1是电流取样电阻；Q1完成R1的取样信号放大，给Q2提供负反馈，可以看成Q2的自动可变下偏置。计算时要已知Q2Ic，也就是你要恒定的电流。R1=0.7v/Q2Ic。Q2Ib=Q2Ic/βQ2。
在一些开关电源电路中，这个结构用来给三极管提供偏置电流。电流计算公式为： I = Vin/R1值得一提的是，以上这些恒流源并不都适合安培以上级别的恒流应用，因为电阻上面太大的电流会导致发热严重。
Vbe的电压一定，硅型三极管是0.7V，锗型是0.3V，那么R1的电阻知道后，就知道流经的电流时多大，就是你所写的公式 I = Vbe/R1，这个“Vbe”是指下面那个三极管的基极——发射极电压，“I“是R1电流。
1、因为输入级需要是恒压源，所以可以采用具有电压饱和伏安特性的器件来作为输入级。
2、基本的恒流源电路主要是由输入级和输出级构成，输入级提供参考电流，输出级则输出需要的恒定电流。所以为了保持输出的稳定，就必须保持输入电压要稳定，也就是输入级至少是恒压源。输出级的电阻尽量大。
3、如果不加散热措施，这个电路中芯片在输出电压6V的时候温升就会达到60度如果输出电压可能小于9V，必须加散热片 。
4、TL431恒流源电路对于电流没有要求，不高于110A即可。恒流源由信号源和电压控制电流源（VCCS）两部分组成。
关键词：mos管
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