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MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
简单地讲，就是用小的电流变化，利用晶体管的线性工作区域所谓放大特性，带动大的电流变化，起到放大作用。
通常在数千到数百万之间。MOS管的漏电流指的是MOS管通道内的电流，当MOS管的控制电压为0时，MOS管的漏电流也很小。MOS管在电路中有许多应用，如控制电流、放大电流、放大电压、放大信号、过滤噪声等。
原理都差不多。作用也差不多。只是从理论上来说，MOS管线性更好一些，接近电子管里面的五极管。FET管接近电子管里面的三极管。但是这些都是理论上来说的。实际MOS管功放未必就比双极型三极管功放的声音好听。
MOS管、BJT管都没有电压放大倍数。MOS管的放大能力用gm（跨导）来表示，gm=ΔId/ΔUbe，三极管的放大能力用电流放大系数（β）来表示，β=ΔIc/ΔIb。电路才有放大倍数。不同的接法放大倍数不同。
音频高增益放大，一般是在前端，是电压放大，比如话筒放大、磁头放大等。 滤波电路根据你所需要的效果选择。后级放大是功率放大，一般增益不是很大，大约10-20倍。
1、如果是电流放大，只能用脉冲放大，并要用储能设备。电流用多级放大管，从小电流到大电流大电流形成达林顿管，最后一级用大功率MOS管并联。如果是电压放大，用开关电源。其中开关变压器用高压变压器，并进行多次倍压。
2、电阻。 MOS管放大电路的放大倍数实质上是由MOS管的输入电阻、输出电阻，以及电路中的其他元件（如电容、电感等）共同作用的结果。 MOS管可以通过调节其栅极电压来控制其输出导通状态，因此在放大电路中扮演了重要的角色。
3、三极管是电流控制型的器件，基极要串联电阻，把输入电压转换成输入电流。 Ib=Ic/β。Ib：基极电流；Ic，集电极电流；β，放大倍数。
4、放大电路还是比较基本的，无非就是反相比例放大电路（估计要两级），然后再跟一级功放。（1）放大倍数可调，无非就是在反馈电阻的位置上，增加一个电位器。
5、，改变三极管的输入电流，改变场效应管、运算放大器的输入电压，集成电路要看情况改便输入电压或电流。
1、Q1Q2是两个反相器，即Q1Q2必须工作在开关状态，饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。
2、LM358为运算放大器，可以作为比较器或者功放来使用。图中的电路为正电压比较器，负输入端为基准电压，正极为比较电压输入端。
3、当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。
4、输出尽可能大的功率。本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。
5、首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时，其电阻非常小，电流可以通过PN结流过。
mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
关键词：mos管
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