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功率器件开关频率比较（功率开关器件是什么）

发布时间：2023-09-03
阅读量：30

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功率器件在开关频率较低时的损耗有通态损耗和断态损耗,其中什么损耗...

1、开通关断通态损耗这些损耗带来的影响是什么， 开通损耗PTT，PFT PTT、PFT是开通期间超过通态损耗PT(晶闸管)或 PF(二极管)的耗散功率。它是由载流子存储效应和载流区域的延迟传输造成的。

2、通态损耗要看电流的，断态主要看漏电流。开关器件在导通时的损耗（器件具体损耗要看手册并且根据提供者给出的软件仿真测试），除了开关器件，电力二极管在导通和恢复过程中也有很大的能量损耗。主要有开通、关断、通态损耗。

3、电容器在运行的过程中有一定的有功损耗，通过介质发热而散失。电抗器通过电流时，会产生导线损耗、磁滞损耗和涡流损耗。

请问常规开关电源的开关管工作时开关频率有多高?

1、频率低，容易制作。但保持警惕截面要大，管子最大电流更大。频率高，可以选用更小的铁芯。但频率高到一定的程度，将造成开关损耗的增加。综合考虑，20K~150K是一个比较合适的范围。

2、你的问题主要看电源作什么用。从电源的干扰性、转换效率、电路设计、变压器设计等综合考虑，开关电源的开关频率一般设计在40--100KHz范围比较合适。

3、普通开关电源一般的都是30-300KHZ，非隔离DC-DC都在100KHZ以上，目前最高时2MHZ。

4、在datasheet上面会有最合适的，所以RC的值一般都是固定值。有些ic固定频率的。开关电源的工作频率一般会在60-100KHZ之间。有事还要考虑磁芯的材质，不同材质的磁芯工作频率也会不同。一般都采用PC40材质的。

5、单端反激式开关电源使用的开关管VT1 承受的最大反向电压是电路工作电压值的两倍，工作频率在20-200kHz之间。单端正激式开关电源 单端正激式开关电源的典型电路如图四所示。

6、其倒数为周期T，为一个开关关断所占用的时间。开关频率越高，越可以将电感器、电源电容等的尺寸做的更小，高频化也是开关电源不断发展的一个方向；同时，越容易滤波，输出纹波可以很小。

AC-DC电源的开关频率怎么选?

1、关键点如下：正负极不要接错；开关电源的dc端输出电压一定要和你选用的pic单片机电压相符。以上两点搞错的话，会造成单片机的永久性损坏。

2、开关频率选择80K，最大占空比选择0.48，全范围DCM，则在最低输入电压Vdc下，占空比最大，电路工作在BCM状态。

3、为您的电源选择正确的工作频率 为您的电源选择最佳的工作频率是一个复杂的权衡过程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常来说，低频率设计往往是最为高效的，但是其尺寸最大且成本也最高。

4、没有必要躲开这个频段啊，设计好的电源环路不会应为你的负载频率和开关频率接近就不能工作，要是那样电路就没法设计了。还是选择一个效率和面积折中的300K左右的频率吧。

5、需求，减小体积，降低成本。但开关频率越大，开关损耗越大，效率越低，散热设计会变的复杂。像世界上所有的东西一样，没有完美的开关频率点，开关频率是在效率，体积，成本，EMI以及可选器件之间一个 均衡选择的结果。

6、理论上来看，开关频率越高，开关电源的体积越小，需要滤波电路的成本越低。但受限于磁性器材的特性，器件的寄生参数，开关频率提高后，寄生电容、电感等影响会越来越大，限制了开关频率的提高。

如何选择开关电源频率?

另一方面，每一次开关转换都会伴有能量损耗；工作频率越高，开关损耗就越高，同时效率也就越低；其次，较高的频率运行通常意味着可以使用较小的组件值。因此，更高频率运行能够带来极大的成本节约。

关键点如下：正负极不要接错；开关电源的dc端输出电压一定要和你选用的pic单片机电压相符。以上两点搞错的话，会造成单片机的永久性损坏。

你好！你的问题主要看电源作什么用。从电源的干扰性、转换效率、电路设计、变压器设计等综合考虑，开关电源的开关频率一般设计在40--100KHz范围比较合适。

开关管的频率是由所选用的芯片来决定的，一般芯片是定频或者外部电路来设定的。

工作频率是由控制芯片的设计来确定的。具体你要根据自己需要的频率来选择控制芯片。

采样频率就是开关频率。输出纹波的频率就是开关频率。由于对输出进行采样，则开关纹波必然会进入反馈环路。如果剪切频率大于开关频率的二分之一，则反馈信号就会和开关纹波混合而无法正常反馈影响稳定。

功率器件饱和速度与工作频率的关系

应该与互感器制作材料与工艺有关。简单讲，相同的一次电流，频率越低约容易饱和。具体指标，我也不清楚，曾经做过测试，某互感器的测量结果看，20Hz往下走，精度明显变低，应该是逐渐趋于饱和了。

正比关系。根据查询初三网显示，功率与速度的关系是当力一定时功率与速度成正比，功率越大，转速越高，汽车的最高速度也越高，速度越快功率越大，频率也越快之间是正比关系，反之频率小功率也小相应速度也越小。

公式是N=60f/2p f是频率，p是极对数。可以看出。N和f成正比。所以频率越快，电机的转速越高。

IGBT,GTR,VMOSFET,SCR,GTO的开关速度比较?答案

1、IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。 SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。

2、其中属于双极器件的有：SCR、GTO、GTR以及IGBT；单极器件的是功率MOSFET。SCR是可控硅整流器，也叫晶闸管，主要用在类似于二极管的领域，其与二极管不同的是，正向工作时，可通过门极电流来触发导通。

3、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

4、IGBT(绝缘栅双极晶体管)它综合了GTR和mosfet的优点，IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO。

关键词：功率开关器件 功率器件开关频率 开关器件

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