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mos管的结温（mos管的结温 表面温度）

发布时间：2023-09-03
阅读量：27

本文目录一览：

二极管供应选哪家？

1、首先为大家介绍的是深圳恒盛光电电子厂，它位于深圳市宝安区，是一家专业生产和销售光电二极管等光敏元件的厂家。

2、AOS/万代，力特。根据查询爱采购显示，国外的二极管供应商有AOS/万代，力特，TOS，LRC，LITEON，MIC，AIC，NEXPERIA。

3、群能科技有限公司 群能科技有限公司位于浙江省杭州市，是一家集生产和销售于一体的生产厂家，专业生产加工变容二极管、发光二极管、三极管、晶闸管等。该工厂拥有雄厚的技术力量以及全套先进的电子加工机械设备。

半导体MOS管雪崩测试过程中,提示preshort与postshort的区别

导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。

工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制，成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

主体不同 MOS管：金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。三极管：半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。

三极管和MOS管的区别：工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。成本问题：三极管便宜，MOS管贵。功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。该电流将耗散功率，使器件的温度升高，而且有可能损坏器件。半导体公司都会对器件进行雪崩测试，计算其雪崩电压，或对器件的稳健性进行测试。

ASEMI代理Infineon的SPW47N60C3功率MOS管有哪些应用?

1、在工业领域，IPB107N20N3G可以应用于电力电子设备、电机控制等，提高其性能和可靠性。在消费电子领域，IPB107N20N3G可以应用于笔记本电脑、手机等设备的电源管理系统，提高其效率和续航能力。

2、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.成本问题：三极管便宜，mos管贵。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

3、电动汽车：这种功率MOSFET可以用于电动汽车充电站和车载功率转换器。功率因数校正（PFC）电路：IXFA14N85XHV可用于功率因数校正电路，以提高电子系统的功率因数，降低能耗，降低公用事业成本。

4、N60除上述参数外，还有电极间电容（MOS管三个电极之间的电容，数值越小管子的性能越好）、高频参数等参数。

5、技嘉从P35开始用NECEL的MOS，NECEL被收购后换了ONsemi。低端板子也是NIKOsemi的天下。intel的主板多数时候用ONsemi，infineon都用过，最近的P67突然启用民用消费类市场很少见的大牌子，Vishay。

6、三极管用电流控制，MOS管AO3401属于电压控制。功耗问题：三极管损耗大。驱动能力：MOS管常用于功率开关和大电流开关电路。三极管常用于数字电路的开关控制。

请教关于MOS管的温度特性曲线问题

1、MOS管的输入不叫输入特性曲线，而是叫转移特性曲线，意思是当漏源电压UDS为常数时，漏极电流iD与栅源电压uGS之间的函数关系。

2、电力MOSFET的输出特性分为：（1）截止区（对应于GTR的截止区）；（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。

3、电阻。根据信息查询得到，处于饱和区的时候，mos管的沟道电阻为正温度系数，温度越高电阻越大，所以MOS管电流随温度下降。VGS电压一定时，温度越高，所流过的电流越大，温度和电流形成正反馈。

4、MOS的驱动，也许会有的人会讲，我有用低内阻大电流的MOS管，但为何还有蛮高的温度？这是MOS管的驱动部分没有做好，驱动MOS要有足够大的电流，具体多大的驱动电流，要根据功率MOS管的输入电容来定。

mos管的最大持续电流是如何确定的?

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。

确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。

...大家常说多少安培的MOS,耐压多少伏特的MOS,具体是指MOS管的...

1、N65是15A，650V，N沟道功率MOSFET 20N60是20A，600V，N沟道功率MOSFET 20A电流大于15A，是可以的。600V电压少于650V，这个就不一定了，如果负载小于600V就可以，如果负载大于600V，就不行了。

2、①、关于以上那8N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：8A//T0-220封装//。②、7N60属于N沟道场效应管，其参数是//耐压：600V//电流：7A//T0-220封装//。

3、简单地说，逆变器就是一种将低压（12或24伏或48伏）直流电转变为220伏交流电的电子设备。因为我们通常是将220伏交流电整流变成直流电来使用，而逆变器的作用与此相反，因此而得名。

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