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MOS管好 因为如果不是用于直接调频等特殊应用，常用电机还是以继电器为主，常用电机采用中间继电器和接触器控制，使用继电器与上述内容相符，为操作者所熟悉；继电器具有隔离作用，大电压与大电流不会产生串扰。
，造成硬盘损坏，产生坏道。如果使用固态硬盘，则大可放心，不会产生物理坏道，机械硬盘现在也不容易产生坏道，产生坏道几率很小，不连续几十次强制关机，一般也不会产生坏道。
MOS管：理论上很容易控制，而且速度快，实际控制的话并不容易，需要专用驱动芯片，而且关闭比开启要难得多，经常会出现关不断的情况（特别是对于新手）。
PMOS，NMOS，CMOS，BIOS的主要区别在导通特性，开关管损失，驱动方面 导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。
而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管； pmos是指n型衬底，p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管；由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路即CMOS电路。
CMOS传输门结构：它是利用结构上完全对称的NMOS晶体管和PMOS晶体管，按闭环互补形式连接而成的一种很巧妙的线路结构。
Live MOS的优点是：简单电路要求和更薄的NMOS结构层，从而提供了更大的感光区域。而且，电路技术的改进提高了感光效率和改进了图象素质。CMOS是“互补金属氧化物半导体”的英文简写。
不能工作。开启电压大概是指数值上相等。 而且PMOS的VGS也是负的，当VGS的绝对值大于VTH的绝对值时，PMOS开始导通。低电平时PMOS的VGS的绝对值很大，NMOS的VGS的绝对值很小，所以pmos导通，NMOS截止。
把CMOS电路中的NMOS和PMOS颠倒，电路将不能否工作。因为NMOS和PMOS的导电沟道是相反的，原来电路给的导电条件不具备，则这个MOS管就不能导通，反过来，不该导通的，反倒导通了。
G：gate 栅极；S：source 源极；D：drain 漏极。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。增强耗尽接法基本一样。晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。
首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。工作原理 当vGS数值较小，吸引电子的能力不强时，漏—源极之间仍无导电沟道出现。
下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。
CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor)是一种电路技术，用于制造大多数现代微处理器和集成电路。它的工作原理是通过在同一个晶体管中使用两种不同的半导体材料来实现晶体管的开/关操作。
CMOS（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor）工作原理基于p-型和n-型半导体材料的互补性。p-型材料具有正孔多的特性，而n-型材料具有电子多的特性。
相机cmos的意思是互补性氧化金属半导体，是利用硅做成的半导体，使其在CMOS上共存着N和P的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
其原理是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带-电） 和 P（带+电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理芯片纪录和解读成影像。
CMOS光电传感器经光电转换后直接产生电流(或电压）信号，信号读取十分简单。CMOS的制程较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的资料。下图为CMOS成像模块示意图。
CMOS电压比较器通常使用两个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）构成。一个MOSFET用于检测电压A是否大于电压B，另一个MOSFET用于检测电压B是否大于电压A。当电压A大于电压B时，第一个MOSFET会导通，导致输出信号为高电平。
如果你学过模电的话，看一下功放那个章节中的乙类推挽放大，任何一本模电书都有。180度互补导通的波形与标准的乙类推挽放大（而且不考虑交越失真）波形非常像。
三相电压型逆变电路180度导电方式的优点 缺点 IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉 冲电流冲击的能力，通态压降较低， 输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率 小。
一般控制直流电机正反转用H桥，H桥由多个功率三极管或功率mos管组成。
逆变电路中常用的开关器件有快速晶闸管、可关断晶闸管（GTO）、功率晶体管（GTR）、功率场效应晶体管（MOSFET）、绝缘栅晶体管（IGBT）。
1、CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。
2、PMOS，NMOS，CMOS，BIOS的主要区别在导通特性，开关管损失，驱动方面 导通特性 NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
3、双极是电流控制元件，mos是电压控制元件；双极具有驱动能力强、速度快、耐压高、噪声较小等特点；mos具有低功耗、线条小、面积小等特点。两种各有各的优势和缺点。
4、CMOS传输门结构：它是利用结构上完全对称的NMOS晶体管和PMOS晶体管，按闭环互补形式连接而成的一种很巧妙的线路结构。
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