可控硅vgt（可控硅vg ig不同有影响吗）

发布时间：2023-09-03

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可控硅的主要参数： 1 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。

BT1313及138参数一样：如图所示：600V反向重复峰值电压VRRM：600V通态平均电流IT：4A通态不重复浪涌电流ITSM：40A最高结温Tjm：110 ℃贮存温度。

参数：可控硅-晶闸管，价格：0.30，功率特性：小功率。关断速度：高频(快速)。极数：三极。散热功能：不带散热片。频率特性：高频。型号/规格：BCR1AM12A。封装外形：TO-92。反向重复峰值电压：600（V）。

ct103可控硅的参数是VPFU、VPRU、IF、UF、IH、IG、Ug。正向阻断峰值电压（VPFU)：是指在控制极开路及正向阻断条件下，可以重复加在器件上的正向电压的峰值，此电压规定为正向转折电压值的百分之80。

一般这类可控硅触发电压在10V触发电流2A左右，由于触发脉宽很窄所以感觉触发电流很小。为了可靠触发一般都是使用电容器放电形式触发，通常电容器的充电电压在18V以上才可以保证充电饱满。

工作电流：26A；工作电压：600V；控制极电流35-50毫安；产品封装：TO-220；脚位排列：T1-T2-G(A1-A2-G)，A1主电极，A2主电极，G门极。

可控硅vgt（可控硅vg ig不同有影响吗）

1、可控硅电力控制器的基本原理是通过控制信号输入，去控制串在主回路中的可控硅（晶闸管）模组，改变主回路中电压的导通与关断，由此达到实现加热器控制。

2、可控硅控制加热，有两种方式，一是移相式。一是脉冲式。前者就是在正弦波不同位置导通（导通角）来改变加到电热元件上的电压的。后者是以一个时间段导通不同比例有时间来控制加热的。前者的调功器线路比较复杂。

3、移相触发加热MTC可控硅模块导通角被调整，电压随之变化，从而调整加热功率；过零触发加热即通常所说的固态继电器，加热时，电压不变化，实际是脉冲通断信号。

4、可控硅控制器工作原理是通过对电压、电流和功率的精确控制，从而实现精密控温。电加热过程中根据工艺温度需要进行电功率调节控制的设备。

5、可能连双向可控硅的引脚都无法识别，即使知道接线方法也无法使用，另外，双向可控硅的选用、散热器的配用都是需要设计的。建议：（1）请懂的人来操作。（2）购买“固态继电器”来控制，按说明接线就可以应用了。

6、即热式电热水器双向可控硅是双向可控硅与负载（加热棒）串联并接在火线零线之间，通过光耦继电器控制双向可控硅的导通，电流流过低阻值的加热棒产生热量，实现对流通水的加热。

-3 倍。外加电压超过反向击穿电压会造成元件永久损坏，若超过正向转折电压。元件就会误导通，可控硅参数符号说明经过数次这样的导通，元件也会损坏。

BTA16-600B可控硅可用BT139系列、BTA16系列型号代换。BTA16-600B基本参数有，电流Igt：50mA，有效值：16A，电压，Vgt：5V等。参数与BT139系列、BTA16系列基本一致，可替换使用。

工作电流：26A；工作电压：600V；控制极电流35-50毫安；产品封装：TO-220；脚位排列：T1-T2-G(A1-A2-G)，A1主电极，A2主电极，G门极。

BTA12-600B是一种晶体管器件，具有可控硅（SCR）的特性。它的额定电压为600V，额定电流为12A，可以用于各种交流电源控制、光控开关、调光器等电路。它的导通电压为5V，最大触发电流为30mA。