三极管驱动光耦（光耦驱动mos管电路详解）

发布时间：2023-09-04

阅读量：47

本文目录一览：

电路原理正确。 TLP521推荐的电流是1mA，根据图中的R2和R3阻值，TLP的电流是2mA。没多大问题。 R2/R3的阻值分别是1K和10K，这样工作时8050基极电压很高，整个电路抗干扰性能会变差。

所以在不知道继电器具体型号之前，还是默认用三极管控制比较好。而且三极管的二次放大作用也使得光耦的动作更为灵敏，控制起来就比较干脆嘛。

烧三极管是因为你没有在继电器上并一个续流（也叫阻尼）二极管来保护三极管。如图D15就是：另外帮你纠正一下，继电器应该放在三极管的集电极，若三极管是PNP的就放才在发射极。

一是P0的输出，P0的高平输出上拉电流不足mA数量级，所以无法用高电平驱动PC817。解决办法是改用低电平驱动或中间加一级三极管缓冲。

你设计的思路是这样的：正常情况下，当光耦接入高电平时光耦导通，三极管基极电压通过光耦的后面到地，三极管截止，继电器线圈没有电流通过继电器断开。没有输入高电平时继电器是闭合的。

电路没有问题，假设两个三极管轮流导通（上面的8550首先导通），12伏直流电通过8550给变压器初级线圈和电容器充电，然后8550截止8050导通，电容器通过线圈放电，完成一个周期。

图13展示本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。尽管场效应管工作于开关状态时发热量不会很大，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。逆变器的性能测试测试电路见图14。

按逆变器工作原理，变压器初级绕组圈数比次级绕组小多以做到升压逆变效果，图上高频变压器的初次级绕组圈数比例可能相反，所以不能做到升压效果，建议检查一下。

电容器CC2用涤纶电容，三极管BG1-BG5可以用9013：40V 0.1A 0.5W；BG6-BG7可以用场效应管IRF150：100V 40A 150W 0.055欧姆。

三极管驱动光耦（光耦驱动mos管电路详解）

1、如果工作时Vt2不发热。原因可能是继电器并接二极管虚接或脱焊，导致继电器关断时产生生的反压击穿三极管。

2、估计是用单片机或数字电路的高电平驱动，这样失败的可能性很大。高电平电流输出能力很小的，一般不足以驱动光耦。建议使用低电平驱动，并加接限流电阻300欧。

3、建议：核对一下继电器（5v）的工作电流。如果继电器的工作电流大于三极管的电流极限，当单片机低电平触发时，三极管就会发热烧坏。

4、原因是续流二极管D4虚焊、开路、损坏了，导致继电器动作时线圈的自感电势无处释放，击穿三极管。D4不用加限流电阻。D7安全。Q2安全。主要D4安全，Q2就安全。

5、原因有二：三极管的参数选择不合适，低于要求值，三极管外围元件有问题。