ao系列mos管（ao3400 mos管参数）

发布时间：2023-09-04

阅读量：29

本文目录一览：

1、耗尽型N沟道的MOS管有：BSP149，BSP135，BSS229等高耐压的　英飞凌品牌的。

2、耗尽型场效应管：具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。

3、即：N沟道增强型管、N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管。具体到型号，你可以在网上搜一下，有MOS管型号对照表。

ao系列mos管（ao3400 mos管参数）

贴片场效应管AO3401中AO表示ALPHA&OMEGASEMICONDUCTOR的产品。场效应晶体管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。

意思是AO3401 开关三极管。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

Vds=-30V； Id=-4A；是其AO34xx代号的意思，代表主要性能；在低压开关时建议使用AO3400，AO3401， Rds（ON）导通内阻会稍小。高压开关时需要用AO3407，及以上的， Vgs不同，Mos导通内阻也不同，请比对规格书选用。

ao3400场效应管简介：ao3400是一种单极型MOSFET，采用GaAs材料制成。它具有输入电阻高（5Ω）、电流放大倍率大（50-）以及工作温度范围宽等优点，可广泛应用于各种数字信号处理设备中作功率开关器件。

1、最好的肯定是英飞凌啦，特别是C3系列的比一般的品牌要高一个档次。其次低压比较出色的是IR，高压的也不少，比如仙童，富士，ST。东芝的现在在消费类才比较有市场。现在市场上新推的Cool-Mos，英飞凌的也是最好。

2、建议选择单管IGBT，IGBT是第四代逆变技术。是在第三代MOS场效应管的基础上升级改进的。技术比MOS管成熟，焊机性能稳定。民用单管IGBT代表品牌佳士品牌佳士宝系列。MOS场效应管代表品牌瑞凌品牌瑞凌系列。

3、而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。

4、原理都差不多。作用也差不多。只是从理论上来说，MOS管线性更好一些，接近电子管里面的五极管。FET管接近电子管里面的三极管。但是这些都是理论上来说的。实际MOS管功放未必就比双极型三极管功放的声音好听。

5、MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。美系：IR，ST，仙童，安森美，TI，PI，英飞凌。安森美；安森美半导体(ONSemiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似，其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。

主要原因是大部分MOS管集成在IC芯片中。因为MOS管主要为配件提供稳定的电压，所以一般用在CPU、AGP插槽、内存插槽附近。其中，CPU和AGP插槽附近布置了一组MOS管，而内存插槽共用一组MOS管。

它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。