300a可控硅（可控硅200a）

发布时间：2023-09-04

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这个我也测过，是正常的，可控硅断开时可以看成是电容，通交流电时散热片自然会有感应电压。。

正常，这个电压是虚的，只要丁点负载，立即就垮了。属于介质泄漏，带电机没问题。

触发电压：5V，触发电流50mA，以上，考虑触发可靠时，触发电压，触发电流要超过这个值。

理论上这是不可能的，控制板的输入电压是220V，板上又没有高压电路。

是电源滤波器的故障，检查滤波器里面的电容是否有坏的，电感线圈有绝缘破损的地方。

1、移相触发加热MTC可控硅模块导通角被调整，电压随之变化，从而调整加热功率；过零触发加热即通常所说的固态继电器，加热时，电压不变化，实际是脉冲通断信号。

2、可控硅模块通常被称之为功率半导体模块(semiconductor module)。最早是在1970年由西门康公司率先将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

3、MTC-110-16 是可控硅（晶闸管）模块，内部有两个相同的可控硅。A 是阳极， K 是阴极， G 是控制极。

4、MTC可控硅模块是普通可控硅模块，IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT也称可关断可控硅。

5、MTC模块采用整流管及混合模块组装而成，用于感应加热、斩波器等方面。可控硅模块通常被称之为功率半导体模块。最早是在1970年将模块原理引入电力电子技术领域，是采用模块封装形式，具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。

6、mtc110a1600v工作原理是采用脉冲变压器触发的编程控制的精准过零电路，在加上动态放电技术的保护电路。

300a可控硅（可控硅200a）

1、单片机可以控制单向可控硅，对于小功率单向可控硅，控制极电流只要几毫安，电压3到5伏（1伏左右就可开通，注意不要误触发），单片机可以直接驱动。但最好用光偶隔离。大功率可控硅，触发电流几十毫安，要加功率放大才行。

2、当可控硅阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。

3、(3) 平均通态电流IT(AV)=5A，通态电流有效值IT(RMS)=12A，通态不重复浪涌电流ITSM=120A。(4) 触发电流IGT＜15mA（分档范围：3-4mA）。

4、常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 2 反向重复峰值电压（VRRM)或断态重复峰值电压（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 3 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。

5、电源电压：220V±10% 50HZ±4%。

KK和KP的区别在于：KK是快速可控硅晶闸管，KP是普通的可控硅晶闸管。KK可控硅晶闸管可以在 400Hz以上频率工作的晶闸管。视电流容量大小，其开通时间为4～8微秒，关断时间为10～60微秒。

一般情况下是不能替换的，因为是作用完全不同的管子，讲简单一点三极管是放大用的，可控硅是开关用的。

ZP是二极管，不是可控硅，KP是普通可控硅，KK是快速可控硅，KS是双向可控硅。