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1、有一种办法可以做成不限的大功率，有源均流法：有源均流不但给器件均流，而且还可以使器件线性化，提高了线性动态范围，均流均功又均温，等于有了大电流器件，很理想。
2、电子管输出阻抗都很高，一般都在2k以上。不用变压器直接输出一般不可能，既是可以功率也很小。一般不要考虑。另外你还要求50w功率，不花钱是不可能的。到时推荐你用下图的廉价电子管玩玩，当然输出牛也不简单。
3、电子管功率放大器不像晶体管，买来就那里一放，基本上也就这样了 电子管机器的工作状态需要使用者不断维护，所以贪图方便，懒人最好还是别选择胆机。也就是大家常说的，功率管子的栅极偏置电压需要做一定的设置和调整。
4、方法一，在线路板元件参数能够承受的情况下，可适当提高供电电压(当然变压器功率也最好加大、滤波电容容量也加大)。
输出尽可能大的功率。本电路采用两个MOS管构成的功率放大电路，其电路如图4所示。此电路分别采用一个N沟道和一个P沟道场效应管对接而成，其中RP2和RP3为偏置电阻，用来调节电路的静态工作点。
该电路由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成，图1所示是其组成框图。
电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。
首先更正一下电路：D2下移，DD2为QQ6提供基准电压（4V）。更正电路如下图。为了便于分析，将相关电阻值（常规）及静态电流值标于其中。
较为简单的方法是两管并联：分别将两管的栅极G、源极S和漏极D并联，最好分别在栅极和漏极上串联一只小阻值的均衡电阻，如图所示。其中RR4由漏极电流决定，使其上的压降1V左右即可。
饱和导通或截止。所以，Q1输入低电平时，Q3也是低电平输入，则Q3 P沟道场效应管会导通，那么Q4 N沟道场效应管的栅极就处于高电平状态，应该会导通。
1、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
2、MOS管的主要作用是放大电信号，用于电子设备中的开关控制、电源管理、数据传输等方面。MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。
3、可应用于放大电路。由于MOS管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。可以用作可变电阻。
1、如果楼主对声音的要求一般，只要声音大，失真不算高就行的话，TDA7294或者LM3886接为OCL电路是不错的选择，必竟价格低，而且声音也是很不错的，性价比高。如果楼主对声音要求很高的话，那就不推荐用集成功放模块了。
2、法则之一：用N沟道orP沟道 选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。
3、VMOS管的漏源击穿VBR(DSS)可做得较高，当出现异常情况时，不易损坏。
4、更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。
单从参数来看，LM3886好像最好，TDA7293其次，TDA7294差一点点，但是也要看各人喜好和听音习惯，实际这么多年来，这些芯片的口碑都很不错，价格上也差不多，没必要太纠结。
与分离式功放比，7294低音漂亮穿透力强，但维修的费用高，7294更上一些。哪个好，集成功放结构简单维护方便，3886是飞利浦的产品，但也有少数人推崇3886？这可是个见人见智的问题两者都是流行的大功率功放集成。
TDA7294 低频部分确实不错中频高频也可以 最适合听 低音强劲的音乐 ， LM3886 中频高频解析力都很好 。2者各有千秋，匹配好了 还是TDA7294 占上风。
做得好都好，除了芯片，还要看周边元件的，良好的设计搭配很重要，这三款功放都有天价功放采用。
1、MOS管的原理是基于场效应的，即通过控制栅极电场强度，改变半导体中载流子的浓度，从而调节电路的电流。MOS管的结构由金属栅极、氧化物绝缘层和半导体基底组成。
2、MOS管的原理是基于PN结的反向偏置效应，即当PN结处于反向偏置状态时，其电阻非常大，电流几乎为零。而当PN结处于正向偏置状态时，其电阻非常小，电流可以通过PN结流过。
3、mos管工作原理是能够控制源极和漏极之间的电压和电流。mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET中存在的缺点，如高漏极电阻、中等输入阻抗和较慢的操作。
4、MOS管的原理：它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。
5、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。
6、工作原理：MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。
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