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mos管防反接电路图（mosfet防反接电路）

发布时间：2023-09-04
阅读量：22

本文目录一览：

P沟道MOS管开关电路

1、下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。

2、P沟道MOS管开关电路图：MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

3、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

4、MOS管在开关电路的作用是信号的转换、控制电路的通断。

5、MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。

请教一下,我有个电源电路,想用MOS管做个电子开关,能提供个电路图给我...

1、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

2、图中L1的左边部分的元件就构成了一个MOS开关电路。不过这个电路是高电平导通的，你只需要把Q5换一个N-MOS就行了。

3、带软开启功能的MOS管电源开关电路 这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

4、下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。

5、下图是用MOS管控制电源开关，不过是低电平时关掉电源，高电平时打开电源：要实现题主的逻辑，只要在Q2前加一级反向电路电路就可以了。

6、是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

直流电源防反接电路设计

1、通常情况，直流电源防反接保护电路最简单节省成本的方式就是利用二极管的单向导电性来实现防反接保护，如下图所示：这种方式简单可靠，成本低，但是不适合低电压和大电流。

2、直流电压输入端怎样才能防止反接？ 在直流电压输入端。串联一个二极管（电流大于负载的电流，电压大于直流输入电压）。接法：二极管的负极接到直流电压输入端的正极。

3、在直流用电器中为防止极性接错，可以在输入端加一整流桥堆，只要整流桥堆的输出＋－极与用电器的＋－极接对（由生产厂接），整流桥堆的输入可由用户随意接。

4、呵呵，这个简单，用一个24V继电器，在它的吸合线圈上串联一个二极管。接通电源后先给继电器供电，因继电器上串有二极管只有正向才会吸合，吸合后再给音响供电。接反后继电器不会吸合，也就不会给音响供电。

常见的电路保护

有：欠压、超压、过流、温控、缺相等。在应用方面视乎具体要求。

过载保护：当控制电路中的电气负荷超过额定值时，需要采取措施来保护电路，避免电气负荷过大引发电路故障。常用的电器有热继电器、断路器等。

过流保护：即过电流保护，一旦设备的电流超过了它的额定电流，线路进行自动保护，常用的方法是采用熔断丝（保险丝）、热保护继电器或采用其他电子式过电流检测继电器等。

常用的短路保护元件是熔断器和断路器。熔断器的熔体串联在被保护的电路中，当电路发生短路或严重过载时，它自动熔断，从而切断电路，达到保护的目的。断路器(俗称自动开关)，它有短路、过载和欠电压保护功能。

电路保护中，常用的保护元器件有：TVS二极管、ESD静电保护二极管、陶瓷气体放电管、玻璃放电管、自恢复保险丝、半导体放电管、压敏电阻等等。

求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。MOS管MOS管又分为两种类型：N型和P型。

估计你的负载短路保护电路是为了保护mos管。从图纸推断你的B-应该接地。

是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

R5+LED1 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。如果控制电流比较大（ 3A ) 可以用右图， R5+LED1+LED2+LED3 可以换成需要控制的 负载，电压根据负载电压。

V单片机驱动5V、12V继电器，不宜用mos管，MOS管开通电压较高，3V可能不会使MOS管充分导通。5V时最好用PNP管子，12V时最好用NPN管子。

增强型MOS管的源漏极能不能反接?

1、源漏互换了。 其实一个mos管物理实现上是不区分源漏的，两边完全对称，只有外加电压后才有源漏一说。

2、理论上讲是可以的。但是有些场效应管内部在DS间反向并联了一个续流二极管，就不行了。

3、MOS管，如果漏极与源极的电压反接，就是当作二极管来用了。MOS管，漏极和源极之间反并有一寄生二极管。

4、但制造MOSFET时，因为有体二极管（Body Diode）并在D-S之间，故实际应用时D－S根本就是不能互换了；体二极管是MOSFET制程过程中，天然形成的，没有办法避免。

5、三极管Q1在电池正接时反向偏置关断，所在支路不会对主回路产生影响，而当电池反接时，则利用三极管Q1的属性，简单高效地控制第一MOS管Q3截止，确保反接漏电流性能的稳定性。进一步优选的，所述三极管Q1为NPN型三极管。

6、请注意P-MOS管D极和S极的方向，接错起不到防反作用。

关键词：mos管 单片机控制mos管

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