mos管的qg（MOS管的Qg）

发布时间：2023-09-04

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1、导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。

2、MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。该额定电流应为负载在所有条件下可承受的最大电流。与电压情况类似，即使系统产生尖峰电流，也要确保所选的MOS晶体管能够承受此额定电流。

3、在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。

4、MOS管是电压驱动部件，驱动电流很小，具体驱动电流要结合周边电路来分析。

5、MOS管的的最大允许电流是靠设计参数来确定的，使用电气参数测量方法无法确定，不过可以使用测量导通电阻方法估算，大约是V/导通电阻，V是参考压降，取值0.8-3，高压管取值大些，低压管取值小些。

6、确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生尖峰电流时。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

MOS管的闸电流中的“Qg”意思是： Q---表示电荷量，g---表示栅极。Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。MOS管的栅极特性相当于一个电容，电容是以电荷量Q，单位库伦表示所储存的电能量。

Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。

欧姆。Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量，这个参数直接反应mos管的开关速度，越小的话MOS管的开关速度就越快.Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。3000qg即3000欧姆。

1、Qg就是表示使MOS管导通栅极所需的电荷量。

2、Qg表示MOS管开关导通时栅极需要的总的电荷量，这个参数直接反应mos管的开关速度，越小的话MOS管的开关速度就越快.Rds(ON)是MOSFET工作（启动）时，漏极D和源极S之间的电阻值，单位是欧姆。3000qg即3000欧姆。

3、不同的MOS的Qg是不一样的：MOS的G，S，D，在中间的条件下，得到右边的结果。

mos管的qg（MOS管的Qg）

1、分类：场效应管可以分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。因为绝缘栅型场效应管的栅极为金属铝，故又称为MOS管。

2、mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

3、电容的电流损耗）。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或，金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）（metal oxide semicondutor field effect transistor）。

4、只是电容的作用)，所以FET的栅极电流很小(电容的电流损耗)。最常见的FET在栅电极下使用一薄层二氧化硅作为绝缘体。这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

5、真正要弄明白三极管的工作原理要学量子力学，固体物理学，半导体物理学，晶体管原理4门课 mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

6、MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。

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