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1、分析：当2脚为0V时候，2形成回路，发光二极管发出光线，4之间的基极遇到光线，产生0.7V压降，致使4形成回路，输出端就被接到地了。
2、－2脚之间并联电阻是分流作用，防止发光二极管暗亮产生误动作。
3、光耦中，传递系数是比较确定的，其他都与环境参数有关。例如，你说的VF，它是发射端LED在特定IF下的压降。如果你需要知道它的确切值（一般估算即可），必须先在设计中明确它的工作电流IF，然后在这个电流下测量它的VF。
4、时，光敏三极管饱和导通，输出为低电平“ 0”。若基极有引出线则可满足温度补偿、检测调制要求。这种光耦合器性能较好，价格便宜，因而应用广泛。
5、常见的光耦有： 1) TLP521-1/ TLP521-2/ TLP521-4，分别是1个光耦、2个光耦和4个光耦，HP公司 和***的东芝公司生产。
~5V左右。光耦输出端压降是由于光电二极管的导通特性引起的，当光照射到光电二极管时，会产生电流，这会导致一个不可避免的电压降，这个降压量在1~5V左右。
光耦的导通电压是0.7v左右。因为光耦的工作部件是一个发光二级管，他的导通电压跟一般的二极管是相同的。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
光耦并联一个5K电阻，如光耦导通压降Vf=5V，那当signal回路中电路I0.3mA，则光耦不导通。一般情况下回路中干扰小于0.3mA。如果没有这个电阻，干扰产生的电流都会流过光耦。经过CTR变比到副边。
光耦P521的3，4脚最小压差，依据参数，是0.2v才能导通电压。典型值是0.2V；最大值是0.4V。电压（voltage），也称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。
光耦的发光管导通电压和普通发光管一样都在5V以上。一般的光耦内部电路都简单，输入是发光管，隔离输出部分是三极管。光耦主要使用在需要将输入输出、端口电气隔离的电路。
入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.。
输入特性光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有： 正向工作电压Vf（Forward Voltage）Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
光耦导通压降约在1~5V左右。R3的作用是为了抗干扰。首先，通常光耦的输入电流范围在2~20mA，一般大多数情况下用在5mA以下。
~5V左右。光耦输出端压降是由于光电二极管的导通特性引起的，当光照射到光电二极管时，会产生电流，这会导致一个不可避免的电压降，这个降压量在1~5V左右。
光耦二极管端的方向耐压为：正向耐压为二极管的导通电压0.7V，反向耐压根据型号的不同，在几十伏到几千伏不等。光电二极管简介：和普通二极管一样，也是由一个PN结组成的半导体器件，也具有单方向导电特性。
反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。
它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。
HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。
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