光耦817的参数（光耦817的作用及工作原理）

发布时间：2023-09-04

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光耦816和817的差别：输出部分的耐压不一样：PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。

参数几乎一模一样，光耦816反向耐压Vceo=70V，光耦817反向耐压Vceo=35V略低，频率同80KHz。光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

这是不可以替代的，因为他们二者之间没有着太大的区别，那么后者是有极强的优化。

光耦pc817坏了是可以替换jc817的，这两种光耦参数及引脚都一样，只是不同的厂家型号前缀不同。

您好，您是想问光耦827和817区别是什么吗？光耦827和817区别是档位不同。光耦827有6个挡位，功率较大，而817只有5个挡位，功率较小，所以光耦827和817区别是档位不同。

光耦817的参数（光耦817的作用及工作原理）

根据知乎资料显示，这款光耦参数如下：高VCEO（集电极-发射极电压）：80V MAX。输入二极管正向电压：25V。最大集电极电流：50 mA。集电极和发射极的最大电压比：80V。4引脚DIP封装和SMT封装。

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

光耦817B导通电流最小是130mA，最大是260mA，正向压降为6V，最大耐压为35V。光耦合器亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。

pc817光耦一般电流控制在5~20mA，最大50mA。用5V电源驱动，可以串联电阻R=5/0.01=500R，所以你可以选择电阻200R~1K，建议取值330~510R。

光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。

发射极集电极电压：6V。集电极电流：50mA。集电极功耗：150mW。总功耗：200mW。主要特点。电流传输比 (CTR： MIN. 50% at IF=5mA ，VCE=5V)。高隔离电压：5000V有效值。

发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。pc817光耦要多大电流驱动？pc817光耦一般电流控制在5~20mA，最大50mA。

PC817的输入侧是发光二极管负载，导通电压大约1-3V，应该串联一只电阻接入，并且控制驱动电流在1-10mA之间。

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输入侧就是个发光二极管，属电流控制器件，需要限制的是正向电流，不能直接加正向电压。正向工作电压可在输入特性曲线查出，通常在4V左右。

输入端（二极管两端）的电压和你通过的电流有直接关系，根据参数表上描述，IF=20mA时，VF标称值=2V，最大值是4V。

1、光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。

2、它的具体参数如下：正向电流IF(mA)50 mA 峰值电流IFM(A)1 A 反向电压VR(V)6 V 功耗P(mW)70 mW 集电极发射电压VECO(V)35 V 发射机电极电压VECO(V)6 V 集电极电流IC(mA)50 mA 集电极功耗PC(mW)150 mW。

3、HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用 4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚 SMD 选择。