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mos管的饱和区（mos管饱和区电流公式）

发布时间：2023-09-04
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本文目录一览：

MOS管驱动电压,是处于饱和区时MOS的VGS-VTH吗?驱动电压有什么意义...

1、Vod=Vgs-Vth，用MOS的Level 1 Model时，不考虑短沟道效用，Vdsat=Vod=Vgs-Vth，当VdsVdsat时，MOS的沟道就出现Pich-off现象，这时候电流开始饱和。

2、- Rds是MOS管的输出电阻；- R0是漏极电阻，代表了MOS管导通时的固有电阻；- Vgs是栅源电压；- Vth是阈值电压，表示MOS管开始导通的门源电压差；- Id是通过器件的电流。

3、线的左边就是可变电阻区，右边是恒流区，最底下一片是夹断区。比如说，Ugs=10V，Uds=1V，肯定是在可变电阻区了，也就是饱和状态。你的这个图里，Ugs(th)没有说明，这个数据一般要在MOS管前面的数据列表中找。

4、MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。N沟道与P沟道是不一样的。

5、而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。

6、Vgs： 最大GS电压.一般为：-20V~+20V 上面三个是主要直接跟你负载相关。Rds(on)相当于内阻，如果导通后内阻大 而你负载电流也大会导致MOS管严重发热。Id直接决定最大电流，如果这个小于你负载也就驱动不了。

mos管的三个极?

MOS管三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D）。MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况。MOS管和三极管截止区：NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通。

MOS管有用的管脚就是三个：源极、漏极、栅极。多余的管脚或者是同名管脚（在内部和漏极、栅极相连，特别是有些大功率管），或者是空脚（没有内部连接，只起焊接固定作用）。

晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。

关系是S极电压可以无条件到D极，MOS管就失去了开关的作用。MOS管是指场效应晶体管，有G(gate栅极)/D(drain漏极)/S(source源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。

漏极在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。

如何判断mos工作在放大区,饱和区,截止区,击穿区?换句话说判断他们的工作...

1、放大状态：当输入信号电压为高电平时，mos管的集电极电位由低向高变化，这时集电极电流i2增大。饱和状态：当输入信号电压为零时，mos管处于截止状态；此时集电极电流很小。

2、MOS管的4个工作区，你说的不是很确切。应该是可变电阻区，饱和区，击穿区，夹断区。开关状态工作在可变电阻区（此区相当于饱和导通）和夹断区（此区相当于截止）。放大状态工作在饱和区。

3、一共分四个区：可变阻区；预夹断区；饱和区，恒流区或放大区；截止区或全夹断区。

4、MOS管的三个区：可变电阻区（对应三极管的饱和区），恒流区（对应三极管的放大区），夹断区（对应三极管的截止区），还有一个击穿区（对应三极管的击穿区，属于电力电子内容）。

5、三极管的特性曲线图分为四个区：饱和区、放大区、截止区、击穿区。一般讨论比较多的是前三个区。三极管的的工作点进入饱和区，三极管就进入饱和状态。三极管进入饱和状态还分深度饱和之说。

mos管饱和区漏极电流不饱和原因

VDS=VGS，处于非饱和区，所以漏电流没饱和，另外即使是处于饱和区的mosfet也会由于沟道长度调制效应，漏电流也会随VDS增加而缓慢增加。补充：你找一本半导体器件的书找到MOS器件看看他的沟道宽度调制效应就知道了。

原因如下：在最大电流下晶体管处于开启状态，电流受阻的是栅极的电流，而非漏极电流。在增强型MOS管的设计中，为了避免漏电流过大，会采用掺杂少量P型材料的技术从而达到减小漏电流。

这管子中的（饱和）电流是用来做功的，它就必挂有外负载。而这些外负载就限止这个电路中的最大电流。除非你在有足够能力的电源上短路这管子才有可能让它到它额定的饱和电流。

用法不对，把mos管换成PMOS。后线性负载换到D级处，电阻换上去即可完成饱和。

NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通。MOS管饱和区的介绍：NMOS在漏极电压比较高时，会使沟道夹断，之后即使电压升高，电流不会再升高，因此叫做饱和区。

晶体管的沟道夹断以后，漏极电流即达到饱和。

请问MOS管的有源导通区是不是就是常说的非饱和区,而线性导通区就是指...

有。mos管的线性区就是可变电阻区，其阻抗与栅压成反比。当管子处于线性区时，MOS管等效于一个电阻，而且当VGS进一步升高，管子进入深度线性区时，这个电阻值Ron很小。电阻就是电流流过物质时所受到的阻力。

这种晶体管被称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。

MOS管的工作原理可以分为三个阶段：截止区、线性区和饱和区。在截止区，栅极电压较低，无法形成足够的电场，半导体中的载流子浓度很低，电路中的电流非常小。

你说的恒流区是指的饱和区吧，MOS管的线性区又叫三极管区，在这个区域里工作时，MOS器件的导通电阻很小，算是低阻状态，常用作开关的导通态。当其工作于饱和区时，由于漏电流与栅电压的线性关系，常用作信号放大使用。

关键词：mos管

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