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1、公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。
2、rbe=rbb’+(1+β)(re+re),这个电阻和工作状态有关,具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,150~350都是合理的,工程应用时并没有统一的标准。
3、rbe=rbb+26mV / Ib(mA)=rbb+β(26mV) / Ic(mA),ri=rbe+β(R7∥R8)。
4、公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,你们老师给的公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。
1、Rbe=300+(1+β)26/Ie 其中26是个常数,单位是Mv,Ie是发射极电流,单位是Ma,电阻单位计算出来是欧。
2、rbe的计算公式:rbe=rbb+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}],计算的是三极管的输入电阻。三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。
3、rbe=rbb’+(1+β)(re+re),这个电阻和工作状态有关,具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,150~350都是合理的,工程应用时并没有统一的标准。
4、rbe+(1+β)R6](RL`=R3//RL)公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。
rbe=rbb+26mV / Ib(mA)=rbb+β(26mV) / Ic(mA),ri=rbe+β(R7∥R8)。
公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。
rbe=rbb’+(1+β)(re+re),这个电阻和工作状态有关,具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,150~350都是合理的,工程应用时并没有统一的标准。
输入电阻RI=RB//RBE。RBE=200+(1+贝塔)26/IE;其中:贝塔=50,IE=(1+贝塔)×IB=397毫安;(IB=U1/RB=4V/200K=0.047毫安);所以rbe=200+51×26/397=753欧姆。
标识为re,是指发射结的体电阻,等于25/Ie(mA);并非rbe。一般rbe,是晶体管接成共发射极方式,π形等效电路中,从基极看去过的基极—发射极交流电阻。
1、公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。
2、rbe=rbb’+(1+β)(re+re),这个电阻和工作状态有关,具体的说和滞留工作点有关。一般估算是,150~350都是合理的,工程应用时并没有统一的标准。
3、rbe=rbb+26mV / Ib(mA)=rbb+β(26mV) / Ic(mA),ri=rbe+β(R7∥R8)。
4、公式rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]计算的是三极管的输入电阻,你们老师给的公式 rbe=rbb+(1+β)[ 26(mA) / IEO(mA)} ]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。
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