n沟道mos管驱动电路（n沟道mos管工作原理及详解）

发布时间：2023-09-05

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这要看你的MOS管了，一般是不可以的，不过有些新开发的型号，有的称作logic mosfet的门限电压比较低，但这类MOSFET功率都不大。

STC12C5410输出的PWM波是能直接驱动MOS管的，MOS管是用电压驱动的，而STC单片机输出电压足够驱动的。

对于Vds不高功率不大的MOSFET来说用5V的TTL电平可以直接驱动（只限于不需要隔离的电路）。如果不符合上述条件就必须使用MOSFET或IGBT专用驱动光偶或IC，并在2次电路采用隔离供电。

应该要的，一般光耦驱动电流很小50ma max.如果你的驱动频率很高，因为s-d极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

应该要的，一般光耦驱动电流很小50mA MAX.如果你的驱动频率很高，因为S-D极电容比较大，电流小，一下子充不满，达不到驱动的电压的。

没有一定的好和不好，主要看你的电路形式和控制方式，一般用N型的，因为型号较多。

MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该 MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

法则之一：用N沟道orP沟道选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。

n沟道mos管驱动电路（n沟道mos管工作原理及详解）

1、带软开启功能的MOS管电源开关电路这是很通用和成熟的电路，原理讲解参考自《带软开启功能的MOS管电源开关电路》。

2、下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。比如导通电压为3V的N沟道MOS管，只要G的电压比S的电压高3V即可导通（D的电压也要比S的高）。

3、下图是两种PMOS管经典开关电路应用：其中第一种NMOS管为高电平导通，低电平截断，Drain端接后面电路的接地端；第二种为PMOS管典型开关电路，为高电平断开，低电平导通，Drain端接后面电路的VCC端。

4、场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源负极（模拟地），漏极(D)接负载输出负极，负载输入正极直接接负载电源正极。

5、MOS开关电路图电路图如下：AOD448是30V 75A的管子，是用5V驱动的，偏高了点。可以用AOD442，AO3416等管子，电压用5V就能驱动。当电压为5V时，只有26豪欧。电流2到3安没问题。

N沟道MOS管的结构及工作原理N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。

当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。

MOSFET由三个极层组成，包括：源极(source)：连接到N沟道区域，电流进入晶体管的端点。汇极(drain)：连接到P沟道区域，电流流出晶体管的端点。连接极(gate)：与N沟道区域相隔离，通过一层氧化膜与N沟道区域相连。

mos管工作原理是N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上适当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。

MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。